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J-GLOBAL ID：201702243481983671   整理番号：17A1465184

導かれた固相エピタクシーにおける量子ドットの形成に及ぼす蒸着したままのGe膜の結晶度の影響【Powered by NICT】

Influence of crystallinity of as-deposited Ge film on formation of quantum dot in carbon-mediated solid-phase epitaxy

著者 (6件)： Takeshima Kaito (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Itoh Yuhki (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Itoh Yuhki (Division for International Advanced Research and Education (DIARE), Tohoku University, 6-3, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8578, Japan) ,  Itoh Yuhki (Japan Society for the Promotion of Science Research Fellow for Young Scientists, Kojimachi Business Center Building, 5-3-1 Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0083, Japan) ,  Kawashima Tomoyuki (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Washio Katsuyoshi (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 70  ページ： 178-182  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素(C)媒介固相エピタクシー(SPE)によるGe量子ドット(QD)形成上の堆積したままのGe膜の結晶化度の影響を調べた。試料は固体源分子ビームエピタクシー(MBE)により作製した。/C/Si構造は150 400°Cの蒸着温度(T_D)でのCとGeの逐次堆積させて形成した,650°CでMBEチェンバー中で熱処理した。非晶質の場合またはT_D≦250°Cで成長させた非晶質およびナノ結晶Ge膜の混合物では,QDの密度はGe層におけるC-Ge結合の増加に起因するT_Dの増加と共に増加した。直径9.2±2.1nmのGe量子ドットは,8.3×10~11cm~ 2T_D=250°Cの最高密度中で形成した。一方,T_D≧300°Cのための多結晶Ge膜の場合には,QDの密度はわずかに減少した。これはSPE中のGe層へのC取り込みは結晶化した柱状結晶粒により抑制されたためである。これらの結果は,非晶質とナノ結晶状態の混合物中の堆積したままのGe膜はC SPEによる小と高密度Ge量子ドットを形成するのに適していることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  結晶化 ,  *結晶度 ,  非晶質 ,  柱状晶 ,  MBE成長 ,  ナノ結晶 ,  *量子ドット ,  多結晶
準シソーラス用語： 高密度 ,  チャンバ ,  蒸着温度 ,  *固相エピタキシー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ゲルマニウム ,  量子ドット ,  炭素 ,  シリコン ,  固相エピタクシー ,  分子ビームエピタクシー(MBE)

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 固相エピタクシー ,  量子ドット ,  蒸着 ,  Ge ,  結晶度