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J-GLOBAL ID：201702243536475982   整理番号：17A0448870

低コストタイプIIヘテロ構造の標的化:合成,構造および光反応性【Powered by NICT】

Targeting low-cost type-II heterostructures: Synthesis, structure and photoreactivity

著者 (7件)： Kar Arik (Department of Chemistry, University of Cambridge, Lensfield Road, Cambridge, CB2 1EW, UK) ,  Sain Sumanta (Materials Science Division, Department of Physics, The University of Burdwan, Golapbag, Burdwan, West Bengal, 713 104, India) ,  Rossouw David (Department of Materials Science and Engineering, Brockhouse Institute for Materials Research and Canadian Centre for Electron Microscopy, McMaster University, Hamilton, Ontario, L8S 4L8, Canada) ,  Knappett Benjamin R. (Department of Chemistry, University of Cambridge, Lensfield Road, Cambridge, CB2 1EW, UK) ,  Pradhan Swapan Kumar (Materials Science Division, Department of Physics, The University of Burdwan, Golapbag, Burdwan, West Bengal, 713 104, India) ,  Botton Gianluigi A. (Department of Materials Science and Engineering, Brockhouse Institute for Materials Research and Canadian Centre for Electron Microscopy, McMaster University, Hamilton, Ontario, L8S 4L8, Canada) ,  Wheatley Andrew E.H. (Department of Chemistry, University of Cambridge, Lensfield Road, Cambridge, CB2 1EW, UK)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 698  ページ： 944-956  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 収穫太陽エネルギーのための半導体ナノ材料の光触媒効率を繰り返し計算する一つの設計戦略は,第二種ヘテロ構造材料の合成を含んでいる。本論文では,SnO_2ナノスフェアはPbSナノキューブによりキャップされているヘテロ構造への直接的で容易で環境に優しい方法を報告した。は多くの既存のシステムにおける電子-正孔再結合と狭い光応答範囲によってもたらされる光触媒効率への現在の限界に対処するために提供する。PbSナノキューブを,臭化セチルトリメチルアンモニウム(CTAB)を用いて後者の表面を官能化することにより予め形成されたSnO_2ナノ球の存在下で成長させた。ヘテロ構造形成をX線回折(XRD),Raman分光法,X線光電子分光法(XPS),Brunauer-Emmett-Teller(BET)表面積分析,および透過型電子顕微鏡(TEM)分析により確認した。Rietveld精密化は,これらの材料の原子構造と微細構造を解明するため同時に利用され,粒子構造と安定性の定量的測定を可能にした。狭いバンドギャップ半導体(PbS)と広いバンドギャップ半導体(SnO_2)の組合せは,光触媒としての可能性を持つヘテロ構造ナノ材料を,太陽シミュレーション下でのローダミンB(RhB)染料の分解では,その分離SnO_2とPbS成分のそれより優れた光触媒活性を示した。ヘテロ構造によって示される強いII型相互作用およびこの挙動を明らかにするために利用されてきた電荷分離機構。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  Raman分光法 ,  硫化鉛 ,  官能化 ,  *光触媒 ,  X線光電子分光法 ,  表面積 ,  電荷分離 ,  X線回折 ,  ナノ粒子 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ナノ材料
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  ナノキューブ ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SnO_2ナノスフェア ,  PbSナノキューブ ,  Rietveld精密化 ,  ヘテロ構造 ,  光化学

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (4件)： タイプ ,  ヘテロ構造 ,  標的化 ,  光反応性