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J-GLOBAL ID：201702243547190616   整理番号：17A1058019

光起電力応用のための輝安銅鉱CuSbSe_2薄膜の成長と特性評価【Powered by NICT】

Growth and characterization of chalcostibite CuSbSe₂ thin films for photovoltaic application

著者 (6件)： Tiwari Kunal J. (Research Institute, SRM University Kattankulathur, 603203, Tamilnadu, India) ,  Tiwari Kunal J. (Department of Physics and Nanotechnology, SRM University Kattankulathur, 603203, Tamilnadu, India) ,  Vinod Vijay (Department of Physics and Nanotechnology, SRM University Kattankulathur, 603203, Tamilnadu, India) ,  Subrahmanyam A. (Semiconductor Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, Tamilnadu, India) ,  Malar P. (Research Institute, SRM University Kattankulathur, 603203, Tamilnadu, India) ,  Malar P. (Department of Physics and Nanotechnology, SRM University Kattankulathur, 603203, Tamilnadu, India)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 418  号： PA  ページ： 216-224  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルク銅セレン化アンチモンは,元素前駆体からの機械的合金化を用いて合成した。粉砕した粉末の相形成をX線回折(XRD)とRaman分光法を用いて研究した。冷間圧密後合成したバルク源は電子ビーム蒸着による薄膜堆積のための原材料として使用した。薄膜蒸着は種々の電子ビーム電流値(I_b~3040及び50Ma)と200°Cの基板温度で行った。近化学量論CuSbSe_2 380°Cの温度で1時間50mAとポストアニーリングに近いI_b値で得られた薄膜。上記の条件を用いて堆積した薄膜であるCuSbSe_2化合物について報告されたバンドギャップに近いことを>10~5cm~ 1とバンドギャップ値~1.18eVの吸収係数(α)値を示すことが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  電子ビーム蒸着 ,  前駆体 ,  基板温度 ,  X線回折 ,  *キャラクタリゼーション ,  吸収係数 ,  メカニカルアロイング ,  *光起電力 ,  化学量論 ,  Raman分光法 ,  *銅 ,  電子ビーム ,  *薄膜
準シソーラス用語： セレン化アンチモン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 無機太陽吸収体 ,  薄膜 ,  電子ビーム蒸着 ,  Raman分光法 ,  バンドギャップ

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光起電力 ,  応用 ,  銅鉱 ,  薄膜 ,  成長 ,  特性評価