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J-GLOBAL ID：201702243567896880   整理番号：17A1060770

ほぼ全太陽スペクトル吸収のためのSn-Ge比を調整することによるCu_2ZnSn_1 xGe_xS(e)-4のバンドギャップエンジニアリング【Powered by NICT】

Bandgap engineering of Cu₂ZnSn_1-xGe_xS(e)₄ by adjusting Sn-Ge ratios for almost full solar spectrum absorption

著者 (9件)： Chen Guilin (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou, 350007, China) ,  Chen Guilin (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen, 361005, China) ,  Wang Weihuang (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou, 350007, China) ,  Chen Shuiyuan (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou, 350007, China) ,  Whang Zhezhe (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou, 350007, China) ,  Huang Zhigao (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou, 350007, China) ,  Huang Zhigao (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen, 361005, China) ,  Zhang Biyun (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou, 350007, China) ,  Kong Xiangkai (School of Physics and Electronic Information, Huaibei Normal University, Huaibei, Anhui, 235000, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 718  ページ： 236-245  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeとSnの置換は高効率Cu_2ZnSn_1 xGe_xS(e)4(CZTGS(e))薄膜太陽電池,特に多重接合またはバンドギャップ傾斜太陽電池を作製するための有望な手法の一つである。しかし広い組成範囲(0≦x≦1)におけるCZTGS(e)の構造と光学的性質の発展を研究し,系統的に解明されていない。CZTGS(e)膜を,セレン化または硫化酸化物前駆体によって合成し,それらの光学的,成分と構造特性を吸収分光法,走査電子顕微鏡法およびX線回折(XRD)/Ramanで調べた。Cu_2ZnSnS(e)4(CZTS(e))の格子へのゲルマニウムの挿入は,関連するXRDピークとRaman振動モードにより検証し,それらの両方は,それぞれ高い回折角と波数へシフトした。に加えて,吸収スペクトルはCZTGS(e)のバンドギャップは0.96と2.0eVの間に調整されることを明らかにした。予備的太陽電池は,Vocは,バンドギャップの増加と共に増加することを示したが,Jscは反対の傾向を示した。これは全太陽スペクトル吸収に適用されることが期待される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スズ ,  構造特性 ,  *バンドギャップ ,  *太陽 ,  振動モード ,  硫化 ,  吸光分光分析 ,  太陽電池 ,  酸化物 ,  光学的性質 ,  *ゲルマニウム ,  前駆体 ,  X線回折
準シソーラス用語： 走査電子顕微鏡法 ,  薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Cu_2ZnSn_1 xGe_xS(e)は_4 ,  薄膜 ,  バンドギャップ技術者 ,  ゲルマニウム

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： Sn ,  Ge