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J-GLOBAL ID：201702243581325979   整理番号：17A1359833

不均一集積化のための高密度3次元ファンアウトパッケージ【Powered by NICT】

High density 3D fanout package for heterogeneous integration

著者 (8件)： Jeng Shin-Puu (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hsinchu, Taiwan 300-75) ,  Chen S. M. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hsinchu, Taiwan 300-75) ,  Hsu F. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hsinchu, Taiwan 300-75) ,  Lin P. Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hsinchu, Taiwan 300-75) ,  Wang J. H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hsinchu, Taiwan 300-75) ,  Fang T. J. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hsinchu, Taiwan 300-75) ,  Kavle P. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hsinchu, Taiwan 300-75) ,  Lin Y. J. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hsinchu, Taiwan 300-75)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI Circuits  ページ： T114-T115  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三次元(3D)ファンアウトパッケージ積層は,性能,高密度集積,および形状因子利点の新しいレベルを提供する。既知の良好なファンアウトパッケージを積層し,成形面積とはんだバンプにおけるCuピラーを通して構築されている垂直接続。既存TSVに基づいた3次元集積回路(3DIC)技術と比較して,異なるダイサイズの素子を集積するときこの解は熱的クロストークを減少させた。ファンアウトパッケージ積層は,ディジタル,メモリ,アナログ,ラジオ周波数(RF)および光デバイスの高度に柔軟な不均一集積のための,費用対効果に優れたプラットフォームを提供する可能性がある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 形状因子 ,  クロストーク ,  周波数 ,  ディジタル方式 ,  *三次元 ,  光学素子 ,  銅 ,  記憶装置 ,  アナログ系
準シソーラス用語： 費用対効果 ,  三次元集積回路 ,  はんだバンプ ,  *高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不均一 ,  集積化 ,  高密度 ,  3次元 ,  ファンアウト ,  パッケージ