文献

J-GLOBAL ID：201702243796936582   整理番号：17A1359848

InGaAs MOSFETにおける無接合トランジスタのための記録性能【Powered by NICT】

Record performance for junctionless transistors in InGaAs MOSFETs

著者 (4件)： Zota Cezar B. (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Box 118, Lund, Sweden) ,  Borg Mattias (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Box 118, Lund, Sweden) ,  Wernersson Lars-Erik (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Box 118, Lund, Sweden) ,  Lind Erik (Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Box 118, Lund, Sweden)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI Technology  ページ： T34-T35  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は両チャネルと接触として単層7nm厚In_0 0.80Ga_0 20As(N_D~1×10~19cm~ 3)を利用した無接合ゲートMOSFETを実証した。ソースとドレイン金属分離32nmと25nmのL_gを持つ素子は,SS=76mV/decを示し,最高値は無接合トランジスタのg_m=1.6mS/μΑとI_on=160μA/μm(V_DD=0.5V,I_OFF=100nA/μm)を報告した。も接触厚さの影響を調べ,単層7nmコンタクトデバイスを用いた37nmの厚さの接触を持つ二重層無接合デバイスを比較した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *接合形トランジスタ ,  チャネル ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  単一層 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： 二重層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： InGaAs ,  MOSFET ,  接合トランジスタ