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J-GLOBAL ID：201702243848045945   整理番号：17A1054640

リン化ガリウムインジウムナノワイヤにおけるキャリア再結合過程

Carrier Recombination Processes in Gallium Indium Phosphide Nanowires

著者 (7件)： ZHANG Wei (Lund Univ., Lund, SWE) ,  ZENG Xulu (Lund Univ., Lund, SWE) ,  SU Xiaojun (Lund Univ., Lund, SWE) ,  ZOU Xianshao (Lund Univ., Lund, SWE) ,  MANTE Pierre-Adrien (Lund Univ., Lund, SWE) ,  BORGSTROEM Magnus T. (Lund Univ., Lund, SWE) ,  YARTSEV Arkady (Lund Univ., Lund, SWE)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 7  ページ： 4248-4254  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トリメチルインジウム,トリメチルガリウム比を変えてインジウム基板上にMOCVDにより一連のGa_xIn_1-xPリン化ガリウムインジウムナノワイヤアレイを成長させた。走査電子顕微鏡,透過型電子顕微鏡によりキャラクタリゼーションを行った。時間分解光誘起ルミネセンス(TRPL),フェムト秒過渡吸収(TA),時間分解テラヘルツ分光法(TRTS)により励起状態動力学を検討した。光ルミネセンスの速い減衰を高強度の励起光におけるトラップ充填効果による光発生正孔の効率的トラッピングにより説明した。光ルミネセンスよりも長寿命の移動性光発生電子に起因する顕著な光電流シグナルが観測された。初期の光伝導性の減衰が励起光強度の増大により遅くなる原因として電子トラッピングを考えた。無放射再結合支配の光発生電荷濃度の減衰を過渡吸収により調べ,電子移動度の動力学を検討した。光発生電子の拡散におよぼす深いトラップの空間分布およびエネルギー分布に基づいて速い正孔および電子トラッピングおよび無放射再結合におよぼすガリウム濃度の影響を考察した。初期移動度のガリウム濃度依存性を直接-間接バンドギャップ転移により説明した。

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *リン化物 ,  *ナノワイヤ ,  *キャリア再結合 ,  *ナノ構造 ,  MOCVD ,  *結晶成長 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ルミネセンス ,  フェムト秒 ,  時間分解分光法 ,  空間分布 ,  エネルギー分布 ,  捕獲中心 ,  バンドギャップ ,  *光伝導 ,  テラヘルツ分光法 ,  *ナノワイヤアレイ ,  *リン化ガリウムインジウム ,  過渡吸収分光法 ,  *励起状態動力学
準シソーラス用語： トラップ中心

分類 (4件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  分子と光子の相互作用  (BH06120R) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (3件)： リン化ガリウムインジウム ,  ナノワイヤ ,  キャリア