文献

J-GLOBAL ID：201702243862061525   整理番号：17A0447817

高性能MgB_2薄膜とバルクにおけるピン止め:Mg B Oナノスケール不均一性の役割【Powered by NICT】

Pinning in high performance MgB₂ thin films and bulks: Role of Mg-B-O nano-scale inhomogeneities

著者 (14件)： Prikhna Tatiana (Institute for Superhard Materials of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2, Avtozavodskaya Str., Kiev 07074, Ukraine) ,  Shapovalov Andrey (Institute for Superhard Materials of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2, Avtozavodskaya Str., Kiev 07074, Ukraine) ,  Eisterer Michael (Atominstitut, Vienna University of Technology, Stadionallee 2, 1020 Vienna, Austria) ,  Shaternik Vladimir (G.V. Kurdyumov Institute for Metal Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine, 36 Academician Vernadsky blvd., Kiev, 03680, Ukraine) ,  Goldacker Wilfried (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), 76344 Eggenstein, Germany) ,  Weber Harald W. (Atominstitut, Vienna University of Technology, Stadionallee 2, 1020 Vienna, Austria) ,  Moshchil Viktor (Institute for Superhard Materials of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2, Avtozavodskaya Str., Kiev 07074, Ukraine) ,  Kozyrev Artem (Institute for Superhard Materials of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2, Avtozavodskaya Str., Kiev 07074, Ukraine) ,  Sverdun Vladimir (Institute for Superhard Materials of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2, Avtozavodskaya Str., Kiev 07074, Ukraine) ,  Boutko Viktor (Donetsk Institute for Physics and Engineering named after O.O. Galkin of the National Academy of Sciences of Ukraine, R. Luxemburg str.72, Donetsk-114, 83114, Ukraine) ,  Grechnev Gennadiy (B. Verkin Institute for Low Temperature Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine, 47, Prospekt Nauky, Kharkiv 61103, Ukraine) ,  Gusev Alexandr (Donetsk Institute for Physics and Engineering named after O.O. Galkin of the National Academy of Sciences of Ukraine, R. Luxemburg str.72, Donetsk-114, 83114, Ukraine) ,  Kovylaev Valeriy (Institute for Superhard Materials of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2, Avtozavodskaya Str., Kiev 07074, Ukraine) ,  Shaternik Anton (Institute for Superhard Materials of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2, Avtozavodskaya Str., Kiev 07074, Ukraine)
資料名： Physica C. Superconductivity and Its Applications  (Physica C. Superconductivity and Its Applications)
巻： 533  ページ： 36-39  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0580A  ISSN： 0921-4534  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ結晶MgB_2酸素含有薄膜(140nm)と高密度バルク材料の比較は,臨界電流密度,J,C,Mg-B-Oナノスケール不均一性の分布に依存することを示した。低(10Kで0 1Tにおける~10~6cm~2)および中磁場における高J_C MgB_2バルクはMgB_0.6 0 8O_0.8 0.9ナノ含有物,δT_Cまたは組み合わせたδT_C(支配的な)/δ_Lピン止め機構が優勢である)を含むことが示されているが,高磁場(B_irr(18.5K)=15T,B_c2(0K)=42.1T)における高J_CバルクMgB_2におけるMgB_1.2 2 7O_1.8 2.5ナノ層が存在し,δ_Lピン止めが優勢であった。低磁場と高磁場(10KでJ_c(0 T)=1.8×10~7cm~2とJ_c(5 T)=2×10~6cm~2)高J_Cで酸素含有膜の構造は,非常に微細な酸素富化Mg-B-O不均一性を含み,δ_Lピン止めを実現した。0,0.125,0.25,0.5 1MgB_2 xO_x細胞におけるDOS計算の結果は,全ての化合物は金属的挙動の導電体であることを示した。ほう素の秩序化した酸素置換の場合には結合エネルギー,E b,は十分に増加させないMgB_2のそれと比較して,酸素原子は,ジグザグ鎖を形成するとき計算E bはさらに低かった(E, 1.15712Ry)であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸素 ,  強磁場 ,  *不均一性 ,  折れ線 ,  ホウ素 ,  臨界電流密度 ,  ナノ構造 ,  弱磁場 ,  ナノ結晶 ,  結合エネルギー ,  磁場 ,  *ピン止め ,  ナノシート
準シソーラス用語： ナノ薄膜 ,  高密度 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 二ほう化マグネシウム ,  臨界電流密度 ,  ピン止め ,  ナノ構造 ,  DOS計算 ,  結合エネルギー

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高性能 ,  薄膜 ,  バルク ,  ピン止め ,  Mg ,  ナノスケール ,  不均一性 ,  役割