Tiをドープした極性および非極性GaN表面の構造的,電子的および磁気的性質【Powered by NICT】

Mendoza-Estrada Victor; Mendoza-Estrada Victor; Gonzalez-Garcia Alvaro; Lopez-Perez William; Pinilla Carlos; Gonzalez-Hernandez Rafael

文献

J-GLOBAL ID：201702244036020373 整理番号：17A0854860

Tiをドープした極性および非極性GaN表面の構造的,電子的および磁気的性質【Powered by NICT】

Structural, electronic and magnetic properties of Ti-doped polar and nonpolar GaN surfaces

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資料名：
巻： 467 ページ： 12-17 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

密度汎関数理論に基づいて,第一原理計算は,極性および非極性GaN表面上のチタン取込を研究するために実行した。の形成エネルギーの計算を,Ti不純物原子がGaNの表面層(第一及び第二)に組み込むことを好むことを示した。もGa置換サイト中のTi原子の取込みは,極性および非極性GaN表面上のN置換型あるいは格子間位置と比較してよりエネルギー的に有利であると結論した。Tiリッチ成長条件では,形成エネルギー計算はaおよびc GaN表面,最近の実験的観測を裏付けるに及ぼすTi_N層の形成を示した。結果も3d Ti状態はcとm面上の表面のメタライゼーションのための原因であることを示し,金属間化合物合金(Ti_N),これはGaNの低抵抗Ohm接触として使用できるを形成した。さらに,Tiドーピングによる磁気特性を非極性GaN表面の約1.0μB/Ti原子の磁化を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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半導体薄膜

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