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J-GLOBAL ID：201702244051815307   整理番号：17A1345850

EモードGaN電力H EMTプラットフォーム上のディジタル集積回路【Powered by NICT】

Digital Integrated Circuits on an E-Mode GaN Power HEMT Platform

著者 (12件)： Tang Gaofei (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Kwan Alex M. H. (Analog/RF & Specialty Technology Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsin-Chu, Taiwan) ,  Wong Roy K. Y. (Analog/RF & Specialty Technology Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsin-Chu, Taiwan) ,  Lei Jiacheng (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Su R. Y. (Analog/RF & Specialty Technology Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsin-Chu, Taiwan) ,  Yao F. W. (Analog/RF & Specialty Technology Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsin-Chu, Taiwan) ,  Lin Y. M. (Analog/RF & Specialty Technology Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsin-Chu, Taiwan) ,  Yu J. L. (Analog/RF & Specialty Technology Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsin-Chu, Taiwan) ,  Tsai Tom (Analog/RF & Specialty Technology Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsin-Chu, Taiwan) ,  Tuan H. C. (Analog/RF & Specialty Technology Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsin-Chu, Taiwan) ,  Kalnitsky Alexander (Analog/RF & Specialty Technology Division, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsin-Chu, Taiwan) ,  Chen Kevin J. (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 9  ページ： 1282-1285  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNをベースにしたディジタル集積回路(IC)を,0.5μmゲート技術を用いたエンハンスメント/デプレーションモードH EMTのモノリシック集積による6インチGaN-on-Si電力高電子移動度トランジスタ(HEMT)プラットフォーム上に実現した。直接結合FET論理インバータと101段リング発振器を作製し,特性化した。インバータは大きな入力電圧スイング,広い雑音余裕,および高温安定性を示すが,リング発振器は,4Vの電源電圧のもとで0.1ns/stageの小さい伝搬遅延を特徴とするこれらディジタルICは少なくとも200°Cまで適切に動作し,GaNスマートパワーIC応用のための大きな可能性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ディジタル集積回路 ,  雑音余裕 ,  リング発振器 ,  *窒化ガリウム ,  高温 ,  HEMT ,  キャラクタリゼーション ,  *電力
準シソーラス用語： スマート電力技術 ,  伝搬遅延 ,  電源電圧 ,  入力電圧 ,  電力HEMT ,  モノリシック集積化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  EMT ,  プラットフォーム ,  ディジタル集積回路