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J-GLOBAL ID：201702244123760579   整理番号：17A1835916

2μm波長での高速タイプII InGaAs/GaAsSb多重量子井戸集積導波路フォトダイオード【Powered by NICT】

High-speed type-II InGaAs/GaAsSb multiple quantum-well integrated waveguide photodiodes at 2 μm wavelength

著者 (6件)： Tossoun Bassem (Charles L. Brown Department of Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA) ,  Wang Ye (Charles L. Brown Department of Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA) ,  Addamane Sadhvikas (Department of Electrical and Computer Engineering, University of New Mexico, Albuquerque, NMf) ,  Balakrishnan Ganesh (Department of Electrical and Computer Engineering, University of New Mexico, Albuquerque, NMf) ,  Holmes Archie (Charles L. Brown Department of Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA) ,  Beling Andreas (Charles L. Brown Department of Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPC  ページ： 419-420  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2μm検出のための多重InGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸を持つ高速InPベースフォトダイオードを提示した。作製したフォトダイオードは, 2Vでの暗電流の低い100Naを示し,0.27A/W,および2μmで3.5GHzの3dB帯域幅の外部応答性であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *高速度 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *多重量子井戸 ,  *導波路 ,  *多重化 ,  *フォトダイオード ,  暗電流 ,  リン化インジウム ,  応答特性 ,  帯域幅 ,  *波長 ,  *量子井戸
準シソーラス用語： *ヒ化アンチモン化ガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (8件)： M波 ,  タイプ ,  InGaAs ,  GaAsSb ,  多重量子井戸 ,  集積 ,  導波路 ,  フォトダイオード