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J-GLOBAL ID：201702244167711727   整理番号：17A1345840

Cu-Cuの低温特性化シリカベースのプログラマブル・メタライゼーション・セル【Powered by NICT】

Low-Temperature Characterization of Cu-Cu:Silica-Based Programmable Metallization Cell

著者 (5件)： Chen W. (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Chamele N. (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Gonzalez-Velo Y. (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Barnaby H. J. (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Kozicki M. N. (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 9  ページ： 1244-1247  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Cu Cu:シリカプログラマブル金属化セル(PMC)の低温特性化を提示した。著者らの結果は,PMCデバイスは4Kでも機能することをと低抵抗状態は温度による影響を受けずに本質的に高抵抗状態は温度の低下と共に増加することが分かった。温度に依存しない低抵抗状態を説明するために適用した直接トンネルモデル。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *メタライゼーション
準シソーラス用語： 低温特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  低温特性 ,  シリカ ,  メタライゼーション ,  セル