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J-GLOBAL ID：201702244175011558   整理番号：17A0946037

自己整合シャドウマスク法により製作した薄膜熱電デバイス

A thin film thermoelectric device fabricated by a self-aligned shadow mask method

著者 (6件)： YANG Fanglong (Center of Excellence for Nanoscience, CAS, Beijing, CHN) ,  YANG Fanglong (China Univ. Petroleum-Beijing, Beijing, CHN) ,  ZHENG Shuqi (China Univ. Petroleum-Beijing, Beijing, CHN) ,  WANG Hanfu (Center of Excellence for Nanoscience, CAS, Beijing, CHN) ,  CHU Weiguo (Center of Excellence for Nanoscience, CAS, Beijing, CHN) ,  DONG Yuhua (China Univ. Petroleum-Beijing, Beijing, CHN)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 27  号： 5  ページ： 055005,1-8  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱電(TE)デバイスは,発電,デバイス冷却や温度センシングなどに広く使われている。Bi₂Te₃とSb₂Te₃は,これまでのところ最も優れたTE半導体材料である。本稿では,Bi₂Te₃とSb₂Te₃薄膜レグを20対持つプレーナTEデバイスを製作し,特性評価した。これらの薄膜TEレグは自己整合シャドウマスクを用い,熱蒸着法によりガラス基板上に製作した。熱蒸着中の基板温度のSeebeck係数と電気伝導度に対する影響を調べた結果,260°Cで蒸着したSb₂Te₃薄膜のSeebeck係数は158μVK^-1で,230°Cで蒸着したBi₂Te₃薄膜のSeebeck係数は-148μVK^-1であった。上記二つの材料を使ってこれらの最適条件で製作したデバイスは,90Kの温度差で開回路電圧0.5V以上であった(感度5.40mVK^-1に相当する)。また最大出力は1.105μWであった。

シソーラス用語： *自己整合 ,  シャドウマスク ,  *熱電素子 ,  ビスマス化合物 ,  アンチモン化合物 ,  テルル化合物 ,  *輸送係数 ,  熱起電力 ,  電圧 ,  無負荷 ,  出力 ,  最大値 ,  真空蒸着
準シソーラス用語： *Seebeck係数 ,  開回路電圧 ,  最大出力 ,  熱蒸着 ,  熱電デバイス

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自己整合 ,  シャドウマスク ,  製作 ,  薄膜 ,  熱電デバイス