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J-GLOBAL ID：201702244215101795   整理番号：17A1558069

高圧および高温でのC-O-H流体におけるデトネーションナノダイヤモンドから合成したほう素ドープダイヤモンド【Powered by NICT】

Boron doped diamond synthesized from detonation nanodiamond in a C-O-H fluid at high pressure and high temperature

著者 (3件)： Shakhov Fedor M. (Ioffe Institute, 194021 Saint-Petersburg, Russia) ,  Abyzov Andrey M. (Saint-Petersburg State Institute of Technology, 190013 Saint-Petersburg, Russia) ,  Takai Kazuyuki (Hosei University, 184-8584 Tokyo, Japan)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 256  ページ： 72-92  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素ドープダイヤモンド(BDD)は,デトネーションナノダイヤモンド(DND),ペンタエリスリトールC_5H_8(OH)4と非晶質ホウ素の粉末混合物からの10秒の短時間で7GPa,1230°Cの高圧高温(H PHT)で合成した。SEM,TEM,XRD,XPS,FTIRおよびRaman分光法によって,BDDナノ微結晶は,DND粒子(サイズ4nm)の圧密により形成されたことを示した。XRDは微小歪の出現なしに6~80nmの微結晶サイズの大型化とダイヤモンド格子パラメータの増加を示した0.02 0.07%であった。Raman分光法を用いて,ダイヤモンド格子に埋め込まれたほう素原子の含有量を推定した。Ramanダイヤモンドピークは非ダイヤモンド炭素の出現なしに1332cm~ 1から有意にシフト1290cm~ 1することが分かった。ダイヤモンドのRamanピーク位置,幅,およびホウ素含有量の間の相関関係を提案した。かなりの量の水素化ダイヤモンド炭素はIR分光法およびXPSにより検出された。約0.1のほう素含有量at%のドーピングにより,ダイヤモンドの電気伝導率は約0.2Ω~-~1cm~ 1を達成した。ダイヤモンド成長(再結晶と配向付着のモデル)の反応機構を議論し,ペンタエリトリトールの熱分解の初期段階および低分子物質(H_2O,CH_4,CO,CO_2など)だけでなく,副産物形成(B_2O_3,B_4C)の超臨界流体の生成とDND粒子の表面からの官能基の熱脱離を含む。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  熱分解 ,  炭素 ,  X線回折 ,  非晶質 ,  熱脱着 ,  *ダイヤモンド ,  Raman分光法 ,  *高圧 ,  ホウ素 ,  格子定数 ,  ナノ結晶 ,  *高温 ,  粉体 ,  反応機構

著者キーワード (6件)： ナノダイヤモンドデトネーション ,  C-O-H化合物 ,  ホウ素ドープダイヤモンド ,  高圧高温合成 ,  Raman分光法 ,  反応機構

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高圧 ,  流体 ,  ほう素ドープダイヤモンド