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J-GLOBAL ID：201702244255689603   整理番号：17A1645845

シリセンCNT二重接合の計算研究【Powered by NICT】

Computational study of Silicene-CNT double junctions

著者 (6件)： Mukhopadhyay Amab (School of VLSI Technology, Indian Institute of Engineering Science and Technology, Shibpur, Howrah - 711103, India) ,  Banerjee Lopamudra (School of VLSI Technology, Indian Institute of Engineering Science and Technology, Shibpur, Howrah - 711103, India) ,  Sharma Bikash (Nano device simulation laboratory, Department of ETCE, Jadavpur University, Kolkata - 700 032, India) ,  Sengupta Amretashis (School of VLSI Technology, Indian Institute of Engineering Science and Technology, Shibpur, Howrah - 711103, India) ,  Rahaman Hafizur (School of VLSI Technology, Indian Institute of Engineering Science and Technology, Shibpur, Howrah - 711103, India) ,  Sarkar Chandan Kumar (Nano device simulation laboratory, Department of ETCE, Jadavpur University, Kolkata - 700 032, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DevIC  ページ： 446-450  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,SiticeneとアームチェアCNT系ヘテロ構造素子の輸送特性の接触抵抗とチャネル材料依存性を調べた。ヘテロ接合材料の状態(DOS)と二つの構造 CNT Si CNTとSi CNT Siの状態,透過型固有状態,感染経路,透過スペクトルおよび電流電圧特性のデバイス密度のような輸送特性の密度を調べた。CNTシリセンCNTヘテロ接合は,より高い電流を与え,FETデバイス応用のためのにより効果的であることが分かった。このデバイスは透過固有状態,透過経路とIV特性の点で優れた輸送特性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  電流 ,  *計算 ,  チャネル ,  電流電圧特性 ,  接触抵抗
準シソーラス用語： 透過スペクトル ,  固有状態 ,  材料依存性 ,  輸送特性 ,  ヘテロ構造 ,  *シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリセン ,  CNT ,  計算 ,  研究