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J-GLOBAL ID：201702244271070937   整理番号：17A0328774

3D集積とFOWLP方式のための一時的な結合における放出層としての非晶質シリコンの実現可能性研究【Powered by NICT】

Feasibility Investigation of Amorphous Silicon as Release Layer in Temporary Bonding for 3-D Integration and FOWLP Scheme

著者 (6件)： Cheng Chuan-An (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Huang Yu-Hsiang (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Lin Chien-Hung (Kingyoup Optronics Company Ltd., Taoyuan, Taiwan) ,  Lee Chia-Lin (Kingyoup Optronics Company Ltd., Taoyuan, Taiwan) ,  Yang Shan-Chun (Kingyoup Optronics Company Ltd., Taoyuan, Taiwan) ,  Chen Kuan-Neng (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 5  号： 2  ページ： 136-140  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 放出層における高,355nm波長レーザ吸収係数に基づく無機非晶質シリコン放出層とHD3007ポリイミドの両方で信頼できる一時的な結合方式を提案し,検討した。レーザ吸収係数とレーザアブレーション経路の影響も高スループットレーザアブレーションプロセスを開発するために研究した。結合スキームは1MPaの接合力下210°Cの最適化温度以内に達成できた。さらに,耐薬品性,信頼性評価と機械的強度,及び結合構造の熱安定性試験を調べた。レーザアブレーション後の電気的特性評価における明白な劣化ではなく,一時的結合方式は,3次元集積化応用に使用される高い可能性を持つことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 波長 ,  *三次元 ,  機械的強度 ,  レーザ ,  最適化 ,  *アモルファスシリコン ,  熱安定性 ,  吸収係数 ,  耐化学性 ,  *実用化試験 ,  電気的性質 ,  レーザアブレーション
準シソーラス用語： 三次元集積化 ,  信頼性評価 ,  ハイスループット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (9件)： 数値計算  (JE02000J) ,  記憶方式  (JC02040V) ,  電子航法一般  (ND14010O) ,  その他の情報工学基礎理論  (JB06000C) ,  音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  テレビジョン応用  (ND12034M) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3D ,  集積 ,  放出 ,  非晶質シリコン ,  実現可能性 ,  研究