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J-GLOBAL ID：201702244291633318   整理番号：17A0664018

電気メッキ材料による傾斜バンドギャップ薄膜太陽電池開発の進歩

Progress in development of graded bandgap thin film solar cells with electroplated materials

著者 (2件)： OJO A.A. (Sheffield Hallam Univ., Sheffield, GBR) ,  DHARMADASA I.M. (Sheffield Hallam Univ., Sheffield, GBR)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 9  ページ： 6359-6365  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代太陽電池として,n型とp型の両方の窓層に基づいた完全傾斜バンドギャップ構造が提案されており,GaAs/AlGaAs系デバイスで高性能が実証されている。現在の開発努力は,このようなデバイスを,低コストでスケーラブルな電気メッキ半導体を使って実現することに集中している。具体的には,2層又は3層の電気メッキ半導体層を使った傾斜バンドギャップ・デバイスであって,n-n-nプラスSchottky障壁構造デバイスと,n-n-p型デバイスが,それぞれ12.8%と15.3%の変換効率に達している。本論文は,このテーマに対して過去十年に行われた研究をレビューし要約した。

シソーラス用語： *電気めっき ,  *半導体薄膜 ,  *太陽電池 ,  バンドギャップ ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  電圧 ,  衝突イオン化 ,  *エネルギー変換効率 ,  *電着 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム
準シソーラス用語： 開放電圧

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気メッキ ,  バンドギャップ ,  薄膜太陽電池 ,  開発