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J-GLOBAL ID：201702244362738893   整理番号：17A0965741

生産者BARCオープン課題とベースラインはFinFETのための設定【Powered by NICT】

Producer BARC open challenges and the baseline set up for FinFET

著者 (4件)： Song Huang (Applied Materials China, Shanghai 201204, China) ,  Ying Huang (Applied Materials China, Shanghai 201204, China) ,  Judy Wang (Applied Materials China, Shanghai 201204, China) ,  Qiang Ge (Applied Materials China, Shanghai 201204, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 16nm技術ノードにおけるSOC(システムオンチップ)FinFETデバイスとそれ以降のための必要である多重Vt同調。これを達成するために,NMOS/PMOS注入プロセスのためのBARC開放,マスクとして,が必要である。十分なPR有効高さを持つ垂直プロファイルは,この過程の重要な課題である。に加えて,運転コスト低減のためのWPHは,顧客の観点からもう一つの主要な考察である。ガスN2/NH3化学は,その高いエッチング速度を採用し,高スループット。最初の全パターンウエハ上に良好な性能を確実にするためにブランケットウエハ上に良好なエッチング均一性を得るためにこの処方,各パラメータを調べ,バイアス電力,圧力,NH3流,N2低,FRC,ギャップ,および背面ヘリウム圧力であった。最後に,ブランケットBARCウエハ上に良好な均一性<4%エッチ速度>1000A/minは,最適化されたバイアス電力及びギャップを用いて得られた。パターンウエハショー性能に関する結果はほとんど許容,垂直に近いおよびPR有効高さで十分である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力 ,  NMOS構造 ,  ヘリウム ,  エッチング ,  ブランケット ,  原価低減 ,  *基準線 ,  バイアス ,  同調 ,  最適化
準シソーラス用語： ハイスループット ,  エッチング速度 ,  PMOS構造 ,  システムオンチップ ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： ベースライン ,  FinFET