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J-GLOBAL ID：201702244412195071   整理番号：17A0791978

断面引かきを受けたサファイアの結晶方位に及ぼす材料除去の依存性【Powered by NICT】

Dependence of material removal on crystal orientation of sapphire under cross scratching

著者 (7件)： Wang Jinhu (Center for Precision Engineering, School of Mechatronics Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Guo Bing (Center for Precision Engineering, School of Mechatronics Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Zhao Qingliang (Center for Precision Engineering, School of Mechatronics Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Zhang Chunyu (Center for Precision Engineering, School of Mechatronics Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Zhang Quanli (Center for Precision Engineering, School of Mechatronics Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, China) ,  Chen Hongxu (China Airborne Missile Academy, Luoyang, 471009, China) ,  Sun Jinxia (China Airborne Missile Academy, Luoyang, 471009, China)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 37  号： 6  ページ： 2465-2472  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 交差引かき実験は亀裂の発生と損傷機構の結晶方位依存性を調べるためにサファイアのC-とM面上で行った。観察された引かきパターンは,浅い横方向の亀裂は[1 100]方向に沿って支配的であった,横方向及び半径方向の両亀裂はC面に[011 0]方向に沿って発生したことを示した。しかし,M面に依存するが,地下における深い横方向の亀裂に起因する大きい引かき影響部で出現した少ない表面破壊。異方性引かきパターンは活性化すべり/双晶系,転位を収容し,引かき中の破壊核形成を提供する密接に関連した。添加では,アコースティックエミッション(AE)信号を高速Fourier変換(FFT)とウェーブレットパケット分解(WPD)に基づく処理し,結果は,引かきを受けた異方性材料の変形は周波数帯域幅とサファイアのC-およびM面に対するAE信号の特別な周波数成分の強度によって同定することができることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 核形成 ,  亀裂 ,  半径方向 ,  *サファイア ,  アコースティックエミッション ,  周波数帯 ,  異方性 ,  *結晶方位 ,  高速Fourier変換 ,  双晶
準シソーラス用語： AE信号 ,  異方性材料 ,  方向依存性 ,  損傷メカニズム ,  *材料除去 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： サファイア ,  スクラッチング ,  Anisotropy ,  結晶配向 ,  アコースティックエミッション

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： サファイア ,  結晶方位 ,  材料除去 ,  依存性