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J-GLOBAL ID:201702244534281130   整理番号:17A1786692

ケイ素ナノカーボンナノ複合膜の酸素空孔形成と放熱基板のカプセル封じによるカプセル封じの可能性を示した。【JST・京大機械翻訳】

Oxygen-vacancy formation and packaging technology of β-SiC/SiOxCy/Cfree nanocomposite films as heat dissipation substrate
著者 (8件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 6199-6202,6209  発行年: 2017年 
JST資料番号: C2095A  ISSN: 1001-9731  CODEN: GOCAEA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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SiO_2/SiO_2ナノ複合材料薄膜は,非晶質相SiOxCyと遊離炭素マトリックスの複合構造を有した。電子常磁性共鳴(EPR)分光計を用いて,900~1200°Cにおける最終焼結膜の複合体構造における酸素空孔の形成について解析した。スクリーン印刷法を用いて薄膜の表面に二つの平行高温銀ペースト層を獲得し、それを放熱基板としてLEDチップ上のチップパッケージ(COB)を行った。走査型電子顕微鏡(SEM)と光学顕微鏡により、薄膜のミクロ形態とカプセル封じ構造に対して観察を行い、LEDの熱光パラメータ試験機によりその接合温度について検討を行った。結果により、最終焼結温度が高くなると、薄膜の酸素空孔濃度が増大し、g因子が自由電子値2.0023に近づくことが分かった。高温での銀導電性層は均一で緻密な伝導性を保証し、1200°Cの最終焼結薄膜は放熱基板として良好な熱伝導と絶縁特性があり、そのパッケージングLEDの接合温度は約33.7°C、120°C以下の制限があり、大規模LEDデバイスの分野に応用できることが期待される。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  酸化物結晶の磁性 

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