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J-GLOBAL ID：201702244562104019   整理番号：17A1546296

プラズマドーピングを特性化するための中間エネルギーイオン散乱測定を用いた動的モデリングコードの結合【Powered by NICT】

Combining dynamic modelling codes with medium energy ion scattering measurements to characterise plasma doping

著者 (6件)： England J. (Varian Semiconductor Equipment, Silicon Systems Group, Applied Materials Inc., USA) ,  Moller W. (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstrasse 400, 01328 Dresden, Germany) ,  van den Berg J.A. (International Institute for Accelerator Applications, School of Computing and Engineering, University of Huddersfield, Huddersfield HD1 3DH, UK) ,  Rossall A. (International Institute for Accelerator Applications, School of Computing and Engineering, University of Huddersfield, Huddersfield HD1 3DH, UK) ,  Min W.J. (Korea Materials and Analysis Corporation, Daejon 305-500, South Korea) ,  Kim J. (Korea Materials and Analysis Corporation, Daejon 305-500, South Korea)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 409  ページ： 60-64  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマドーピングイオン注入(PLAD)により,先端半導体デバイス構造の製造においてますます重要になってきているが,PLADを基本的に理解することは複雑である。平面基板にPLADのモデルは,衝突カスケードを予測し,従って注入時の組成変化を基板に一次元計算機コードTRIDYNを使用して構築した。PLAD処理した試料中のドーパントプロフィルの中間エネルギーイオン散乱(MEIS)測定を用いて,モデルへの入力イオンと中性フラックスを較正した。ルールを,ポスト注入プロフィルは洗浄段階によって改良しなければならないどのように提案されている。学習はPLADインプラントFinFETのような構造への三次元TRI3DYNベースモデルに適用した。飛行(TOF)-MEISの時間によるドーパントプロファイル測定とモデルの比較は,三次元構造物に作用する中性種とドーピング機構の角度分布を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *イオン散乱 ,  三次元 ,  素子構造 ,  *イオン ,  イオン注入 ,  一次元 ,  *キャラクタリゼーション ,  半導体 ,  角分布 ,  計算機コード
準シソーラス用語： 三次元構造 ,  FinFET ,  中性 ,  *プラズマドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： イオン注入 ,  イオンビームモデル化 ,  TRIDYN ,  TRI3DYN ,  プラズマドーピング ,  PLAD ,  FinFET

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマドーピング ,  特性化 ,  エネルギー ,  イオン ,  散乱測定 ,  動的モデリング