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J-GLOBAL ID：201702244628432807   整理番号：17A1088310

窒化物VCSELsにおける光及び電気的閉じ込めのモデル化

Modeling of optical and electrical confinements in nitride VCSELs

著者 (4件)： SPIEWAK P. (Lodz Univ. Technol., Lodz, POL) ,  WASIAK M. (Lodz Univ. Technol., Lodz, POL) ,  SOKOL A. K. (Lodz Univ. Technol., Lodz, POL) ,  SARZALA R. P. (Lodz Univ. Technol., Lodz, POL)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10104  ページ： 101041J.1-101041J.9  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文において,種々の鏡を持つトンネル接合(TJ)窒化物ベースの垂直キャビティー面発光レーザー(VCSELs)を自己無撞着熱-電気-光モデルを用いた数値シミュレーションにより分析し,電流拡散のために酸化インジウム錫(ITO)層を含む類似のVCSEL構造と比較した。その結果,動作領域において,TJ VCSelsの方が低い閾電流と低い最大閾温度であることを明らかにし,二つの絶縁体反射鏡と底の分散Bragg反射鏡(DBR)における金のリングを持つTJ VCSELが将来有望な性質を持つことを示した。また,底のDBRの金リング半径を変えた熱特性の最適化を検討した。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *垂直共振器形面発光レーザ ,  *閉込め ,  トンネル接合 ,  *シミュレーション ,  電流 ,  反射器 ,  反射鏡
準シソーラス用語： *窒化物半導体 ,  VCSEL ,  *光閉込め ,  *数値シミュレーション ,  閾電流 ,  Bragg反射鏡

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 窒化物 ,  閉じ込め ,  モデル化