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J-GLOBAL ID：201702244716691852   整理番号：17A0748322

ナノメートル層を有するAlGaN/AlN/GaNH EMT構造におけるAlの定量的SIMS深さプロファイリング【Powered by NICT】

Quantitative SIMS depth profiling of Al in AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with nanometer-thin layers

著者 (9件)： Yunin P.A. (Institute for Physics of Microstructures of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Yunin P.A. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Drozdov Yu.N. (Institute for Physics of Microstructures of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Drozdov Yu.N. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Drozdov M.N. (Institute for Physics of Microstructures of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Drozdov M.N. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Khrykin O.I. (Institute for Physics of Microstructures of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Shashkin V.I. (Institute for Physics of Microstructures of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Shashkin V.I. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 49  号： 2  ページ： 117-121  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlxGa1 xN/AlN/GaNトランジスタヘテロ構造におけるAlの定量的二次イオン質量分析法(SIMS)深さプロファイリングの可能性を示した。TOF.SIMS-5飛行時間質量分析計のための試験構造のシリーズを用いて,組成に及ぼす×,すなわち,Y(CsAl+)/Y(CsGa+)=K×x/(1 x),高い線形相関係数,Rl=0.9996,比較的厚いAlGaN障壁層の定量的SIMS分析を可能にすると二次イオン収率の洗練された線形キャリブレーション依存性を得た。イオンスパッタリングの主要なアーチファクトを考慮したプロファイルを再構成する方法を第一GaN/AlGaN/AlN/GaN高電子移動度トランジスタ構造の解析に適用した。法はナノメートルの薄いAlN層の厚さと組成の定量分析を行い,測定誤差を推定することができた。研究されている構造では,AlN層は1.2±0.2nm厚さである。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  相関係数 ,  測定誤差 ,  イオンビームスパッタリング ,  *窒化アルミニウム ,  *アルミニウム ,  HEMT ,  *深さプロフィル ,  再構成 ,  線形性 ,  定量分析
準シソーラス用語： バリア層 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  ヘテロ構造 ,  TOF-MS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： SIMS深さプロファイリング ,  SIMS定量分析 ,  AlGaNH EMT ,  SIMSプロフィルの再構成 ,  MRIモデル ,  HRXRD解析

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  AlN ,  EMT ,  Al ,  定量 ,  SIMS ,  深さプロファイリング