文献

J-GLOBAL ID：201702244717080671   整理番号：17A1023872

効率32%と2 3dBm出力パワーを有する28GHz SiGe BiCMOS電力増幅器【Powered by NICT】

A 28-GHz SiGe BiCMOS PA With 32% Efficiency and 23-dBm Output Power

著者 (3件)： Sarkar Anirban (Department of Electrical and Computer Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA) ,  Aryanfar Farshid (Samsung Research America, Dallas, TX, USA) ,  Floyd Brian A. (Department of Electrical and Computer Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 52  号： 6  ページ： 1680-1686  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,180nm SiGe BiCMOS技術における27~31GHz周波数範囲で動作する二段階,四方向組合せ電力増幅器(PA)を提案した。PAの出力ネットワークは低損失の二方向シリーズ二方向並列電力結合を実現するためスパイラル変成器とマイクロストリップT結合器を採用している。集中定数変圧器モデルの助けを借りて,変圧器の最適化法と全出力ネットワークの電力損失を最小化するために隣接するマッチング成分を示した。設計方法論はK wayシリーズ平衡形M-方向並列結合器を用いた装置面での任意のインピーダンスを実現するための適用可能である。この技術の有効性はPAの実現,27.6W/dB利得,dBm,1dB圧縮出力電力,1dB圧縮で32.7%の電力付加効率(PAE),および6dBバックオフで15%のPAEを持つにより実証した。直線性測定は,3dB以下の位相変調歪に振幅変調4°以下を示したバックオフと6dBバックオフでの 32-dBc相互変調積以下であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ネットワーク ,  変調歪 ,  インピーダンス ,  結合器 ,  *電力増幅器 ,  利得 ,  マイクロストリップ線路 ,  線形性 ,  *電力 ,  変圧器 ,  電力付加効率
準シソーラス用語： バックオフ ,  出力電力 ,  電力損失 ,  *SiGe BiCMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： パワー ,  SiGe ,  BiCMOS ,  電力増幅器