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J-GLOBAL ID：201702244945852085   整理番号：17A1627504

エタノールアミン添加剤を用いた溶液処理した窒素ドープニオブ亜鉛スズ酸化物薄膜トランジスタの作製【Powered by NICT】

Fabrication of solution-processed nitrogen-doped niobium zinc tin oxide thin film transistors using ethanolamine additives

著者 (2件)： Jeng Jiann-Shing (Department of Materials Science, National University of Tainan, Tainan 700, Taiwan) ,  Wu Chi-Min (Department of Materials Science, National University of Tainan, Tainan 700, Taiwan)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 729  ページ： 370-378  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ゾル-ゲル法を用いて窒素ドープNbZnSnOチャネル層を作製した。モノエタノールアミン(MEA)は窒素添加剤として用いた。XPSの結果から,酸素空格子点の濃度はMEA/Nb比の関数として変化する。0.2のMEA/NbとNbZnSnO膜は酸素空孔の最低量を示した。TFT電気的性能もMEA/Nb比0.2の高いキャリア移動度(7.4 cm~2 V~ 1s~ 1)と良好なバイアスストレス安定性を有することを示した。さらに,TFTの電気的特性に及ぼす前駆体溶液の熟成時間の影響を調べた。MEAを添加後,NbZnSnOチャンネルのアニーリング温度は減少し,加水分解と縮合反応の加速に関係することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ゾル-ゲル法 ,  *薄膜トランジスタ ,  縮合反応 ,  電気的性質 ,  *ニオブ ,  *添加剤 ,  *亜鉛 ,  前駆体 ,  *酸化スズ ,  キャリア移動度 ,  脂肪族アミン ,  脂肪族アルコール ,  アミノアルコール ,  第一アミン
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  酸素空格子点 ,  *窒素ドーピング ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 溶液プロセス ,  モノエタノールアミン ,  薄膜トランジスタ ,  窒素 ,  酸化物

分類 (2件)： 金属系の相平衡・状態図  (CB03012T) ,  圧粉,焼結  (WC02030X)

物質索引 (1件)： エタノールアミン

タイトルに関連する用語 (9件)： エタノールアミン ,  添加剤 ,  溶液処理 ,  窒素ドープ ,  ニオブ ,  亜鉛 ,  スズ酸化物 ,  薄膜トランジスタ ,  作製