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J-GLOBAL ID：201702244954469867   整理番号：17A0965776

シングルイベント電流パルスのモデル化のためのVerilogAを用いた:実装と応用【Powered by NICT】

Using VerilogA for modeling of Single Event current pulse: Implementation and application

著者 (7件)： Jia Liu (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 401332, China) ,  Yusen Qin (Chongqing Nan’an Power Supply Bureau, Nan’an District, 400060, China) ,  Tiehu Li (No.24 Institute, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 401332, China) ,  Yuxin Wang (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 401332, China) ,  Weidong Yang (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 401332, China) ,  Jun Liu (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 401332, China) ,  Ruzhang Li (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 401332, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ100nmバルクCMOSプロセス技術では,シングルイベント効果(SEE)は宇宙用途に使用されている半導体デバイスとICにおける最も重要な信頼性問題の一つとなっている。シングルイベント(SE)電流パルスのモデル化は非常に重要な課題である。本論文では,素子におけるSE電流パルス(SECP)の3D TCADシミュレーション結果を与え,VerilogA(VA)行動言語を用いたコンパクトモデルを開発した。このモデルは,回路レベルシミュレーションにおける耐放射線性(RH)アプローチの検証のために使用することができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  言語 ,  三次元 ,  宇宙空間 ,  シミュレーション ,  *モデリング ,  耐放射線性 ,  半導体素子
準シソーラス用語： コンパクトモデル ,  TCAD ,  SEE【事象】 ,  CMOSプロセス ,  *パルス電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： イベント ,  電流パルス ,  モデル化 ,  実装 ,  応用