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J-GLOBAL ID：201702244972071289   整理番号：17A0767034

SmFeAsO(1 x)F_xの簡単な一段階合成と超伝導特性【Powered by NICT】

Simple One-Step Synthesis and Superconducting Properties of SmFeAsO_(1-x)F_x

著者 (6件)： MA Yan-Wei (Institute of Electrical Engineering,Chinese Academy of Sciences) ,  GAO Zhao-Shun (Institute of Electrical Engineering,Chinese Academy of Sciences) ,  WANG Lei (Institute of Electrical Engineering,Chinese Academy of Sciences) ,  QI Yan-Peng (Institute of Electrical Engineering,Chinese Academy of Sciences) ,  WANG Dong-Liang (Institute of Electrical Engineering,Chinese Academy of Sciences) ,  ZHANG Xian-Ping (Institute of Electrical Engineering,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 26  号： 3  ページ： 242-245  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： REFeAsO(RE,rare土類金属)における超伝導の最近の発見は,大きな関心を集めているしかしながら,これらの新しい超伝導体のための,複雑な二段階合成または高圧焼結のような非常に複雑な合成経路が必要であるこれらの材料は50Kを超える臨界温度T_cをもつ最初の非銅酸化物超伝導体と同様に上部臨界磁場100T以上である。さらに,考察し,アニーリング中に時々ひ素の密封した石英管爆発へのヒ素の毒性と揮発性である。一段階焼結プロセスを用いて高温SmFeAsO(1 x)F_x超伝導体を製造するための新しい方法を示した。54.6Kと高い臨界磁場H_c2(0)≧200Tの開始温度をもつ超伝導転移はSmFeAsO(0.7)F(0.3)で確認した。5Kでおよび自己磁場で,全サンプルの大きさと平均粒径を用いて磁化ヒステリシスから推定した臨界電流密度J_cは8.5×10~3と1.2×10~6cm 2に達した。さらに,Jcは磁場に非常に弱い依存性を示した。簡単で安全な一段階合成法を鉄系超伝導体の他の希土類誘導体に有効であるべきである。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒ素 ,  温度依存性 ,  臨界電流密度 ,  臨界温度 ,  希土類元素 ,  磁場 ,  臨界磁場 ,  *超伝導 ,  磁化 ,  焼結 ,  焼なまし ,  超伝導体 ,  ヒステリシス ,  鉄系超伝導体
準シソーラス用語： 超伝導転移 ,  *一段合成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (1件)： 英語キーワード

分類 (4件)： 超伝導材料  (BM04041W) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q) ,  酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (2件)： 一段階合成 ,  超伝導特性