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J-GLOBAL ID：201702244981693331   整理番号：17A0969003

熱真空蒸発により堆積したSn_4Sb_6S_13薄膜の複素インピーダンス分光法【Powered by NICT】

Complex impedance spectroscopy of Sn₄Sb₆S₁₃ thin films deposited by thermal vacuum evaporation

著者 (4件)： Trabelsi Imen (Universite Tunis El Manar, Laboratoire de Photovoltaieque et Materiaux Semi-conducteurs, ENIT-BP 37, Le belvedere, 1002 Tunis, Tunisia) ,  Harizi Afef (Universite Tunis El Manar, Laboratoire de Photovoltaieque et Materiaux Semi-conducteurs, ENIT-BP 37, Le belvedere, 1002 Tunis, Tunisia) ,  Kanzari Mounir (Universite Tunis El Manar, Laboratoire de Photovoltaieque et Materiaux Semi-conducteurs, ENIT-BP 37, Le belvedere, 1002 Tunis, Tunisia) ,  Kanzari Mounir (Universite de Tunis, Institut Preparatoire aux Etudes d’Ingenieurs de Tunis Montfleury, Tunisia)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 631  ページ： 161-171  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電流では,30 200°Cの範囲の種々の温度で加熱したガラス基板上に真空熱蒸発法により堆積した硫塩材料Sn_4Sb_6S_13の形態学的および電気的挙動に及ぼす基板温度の効果を研究した。X線回折パターンは,Sn_4Sb_6S_13薄膜は優先方向6 11に従って単斜晶構造に結晶化し,平均粒径は基板温度を増加させることにより増加することを示した。原子間力顕微鏡を用いて,層の表面形態を特性化した。電気及び誘電特性を400°Cから5Hz~1 3MHzの周波数範囲において室温開始までの広い温度範囲でacインピーダンス分光法により調べた。複素インピーダンスプロットは,膜に及ぼす結晶粒の影響を明らかにする単一半円を示した。インピーダンス分析は,抵抗は温度の増加により減少することを示した。さらに,伝導率の解析は,伝導機構は熱的に活性化され,局在状態間のホッピングにより確認したことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 局在状態 ,  結晶化 ,  *インピーダンス ,  基板温度 ,  ホッピング伝導 ,  誘電性 ,  X線回折 ,  *薄膜 ,  原子間力顕微鏡 ,  *蒸発 ,  単斜晶系 ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： *インピーダンス分光法 ,  表面形態 ,  *複素インピーダンス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： すずアンチモン硫酸 ,  薄膜 ,  真空熱蒸発 ,  ACインピーダンス分光法 ,  電気的性質 ,  X線回折

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 真空蒸発 ,  堆積 ,  薄膜 ,  インピーダンス分光法