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J-GLOBAL ID:201702245006155784   整理番号:17A0970094

圧力を応用したMgB_2のフォノン分散モデル【Powered by NICT】

Phonon dispersion models for MgB2 with application of pressure
著者 (3件):
資料名:
巻: 536  ページ: 11-17  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0580A  ISSN: 0921-4534  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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局所密度と一般化された勾配近似による密度汎関数理論(DFT),適用圧力の増加20GPaまでMgB_2のE_2gフォノン異常の形と程度の変化を評価した。MgB_2のフォノン分散(PD)のab initio DFT計算は,Γ,逆格子原点周囲の,対称に配置したフォノン異常を示した。この異常はFermi面の管状要素の直径方向に反対側,シグマ結合に対応する間の営巣に関連し,Γ-A逆格子空間方向にほぼ平行する。異常であるΓ-Aに平行およびΓ-MとΓ-Kに沿った。Γ-MとΓ-Kに沿ったE_2gフォノン異常,δ,の程度は,熱エネルギー,T_δ,実験開始超伝導転移温度,T_c誤差内で一致するの尺度である。 5GPa<P<20GPaの圧力を用いたab initio DFT計算はMgB_2の実験T_c値に密接にマッチするT_δにおける直線的な減少を示した。AlB_2型構造を持つフォノン媒介超伝導体では,T_δ,フォノン異常の熱エネルギーはT_cの信頼できる予測因子である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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金属系超伝導体の物性  ,  酸化物系超伝導体の物性 
タイトルに関連する用語 (3件):
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