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J-GLOBAL ID：201702245013832190   整理番号：17A1771269

ビスマスナノチューブアレイにおけるナノ構造化トポロジカル状態:分子軌道の反転結合-反結合準位【Powered by NICT】

Nanostructured topological state in bismuth nanotube arrays: inverting bonding-antibonding levels of molecular orbitals

著者 (3件)： Jin Kyung-Hwan (Department of Materials Science and Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT 84112, USA. [e-mail]) ,  Jhi Seung-Hoon ,  Liu Feng
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 43  ページ： 16638-16644  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケール構造モチーフから生じるトポロジカル量子相を示すナノ構造トポロジー新しいクラスの材料を実証した。第一原理計算に基づいて,著者らは,管径のために周期性をもつBi NTの超格子,ビスマスナノチューブ(Bi NTs)のアレイをナノ構造二次元(2D)量子スピンH all(QSH)絶縁体として振る舞うことを示し,計算したバンドトポロジーと1Dヘリカルエッジ状態から確認された。Bi NTアレイに於けるQSH相の基礎メカニズムは,従来のQSH絶縁体における原子軌道バンド反転の代わりに構成ナノ構造要素の分子軌道の結合-反結合準位の反転であることが明らかになった。Bi NTアレイに於けるQSH相の量子化されたエッジコンダクタンスはバルクの寄与からより容易に単離でき,それらの特性はチューブサイズによって調整されることから,ナノ構造化されたトポロジカル相の特徴的な利点表すことができる。著者らの発見は,分子軌道バンド反転を持つナノ材料へのトポロジカル相を拡張してトポロジー材料のための新しい道を開くものである。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 超格子 ,  二次元 ,  ナノ材料 ,  位相幾何学 ,  *分子軌道 ,  量子化 ,  管径 ,  *ナノ構造 ,  絶縁体 ,  計算 ,  トポロジカル相
準シソーラス用語： トポロジー相 ,  原子軌道 ,  エッジ状態 ,  量子スピン ,  第一原理計算 ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ビスマス ,  ナノチューブアレイ ,  ナノ構造 ,  トポロジカル状態 ,  分子軌道 ,  反転