文献

J-GLOBAL ID：201702245016804134   整理番号：17A0634818

Pt/Bi_0.9Eu_0.1FeO₃/NbドープSrTiO₃ヘテロ構造における連続チューナブルバイポーラ抵抗スイッチングのインパルス電圧制御

Impulse voltage control of continuously tunable bipolar resistive switching in Pt/Bi_0.9Eu_0.1FeO₃/Nb-doped SrTiO₃ heterostructures

著者 (10件)： WEI Maocai (Hubei Normal Univ., Huangshi, CHN) ,  LIU Meifeng (Hubei Normal Univ., Huangshi, CHN) ,  WANG Xiuzhang (Hubei Normal Univ., Huangshi, CHN) ,  LI Meiya (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  ZHU Yongdan (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  ZHAO Meng (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  ZHANG Feng (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  XIE Shuai (Wuhan Univ., Wuhan, CHN) ,  HU Zhongqiang (Northeastern Univ., MA, USA) ,  LIU Jun-Ming (Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 3  ページ： 198,1-7  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルBi_0.9Eu_0.1FeO₃(BEFO)薄膜を,パルスレーザ堆積によりNbドープSrTiO₃(NSTO)基板上に作製し,Pt/BEFO/NSTOへテロ構造を形成することに成功した。ヘテロ構造は,連続チューナブル抵抗スイッチング挙動をもつ大きなメムリスティブ挙動,さらには,良好な保持及び抗疲労特性を示した。単純に電圧インパルスを印加することにより,抵抗状態のロバストで不揮発性,及び可逆的変更を,強誘電層における残留分極により実証した。導電性AFMで観測した局所抵抗スイッチングは,メモリセルサイズの小規模化の可能性を示唆した。

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *フェライト ,  *鉄化合物 ,  *素子構造 ,  *ユウロピウム化合物 ,  *ドーピング ,  *チタン酸ストロンチウム ,  *ニオブ ,  *白金 ,  薄膜成長 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *スイッチング ,  保持容量 ,  衝撃電圧 ,  残留分極 ,  強誘電体 ,  *回路部品 ,  *FeRAM ,  フィラメント
準シソーラス用語： インパルス電圧 ,  *ヘテロ構造 ,  *抵抗スイッチング ,  *鉄酸ビスマス ,  *メモリスタ ,  導電性フィラメント

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： Pt ,  Nb ,  ドープ ,  ヘテロ構造 ,  抵抗スイッチング ,  インパルス ,  電圧制御