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J-GLOBAL ID：201702245040041065   整理番号：17A1181701

無接合トランジスタの動作への直列抵抗の影響【Powered by NICT】

Impact of series resistance on the operation of junctionless transistors

著者 (8件)： Jeon Dae-Young (IMEP-LAHC, Grenoble INP, Minatec, BP 257, 38016 Grenoble, France) ,  Jeon Dae-Young (School of Electrical Engineering, Korea University, 136-701 Seoul, South Korea) ,  Park So Jeong (IMEP-LAHC, Grenoble INP, Minatec, BP 257, 38016 Grenoble, France) ,  Park So Jeong (School of Electrical Engineering, Korea University, 136-701 Seoul, South Korea) ,  Mouis Mireille (IMEP-LAHC, Grenoble INP, Minatec, BP 257, 38016 Grenoble, France) ,  Barraud Sylvain (CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France) ,  Kim Gyu-Tae (School of Electrical Engineering, Korea University, 136-701 Seoul, South Korea) ,  Ghibaudo Gerard (IMEP-LAHC, Grenoble INP, Minatec, BP 257, 38016 Grenoble, France)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 129  ページ： 103-107  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来のCMOS技術のための可能な候補として考えられ,無接合トランジスタ(JLTs)の相互コンダクタンス(g_m)とその誘導体(dg_m/dV_g)はバルク中性および表面蓄積伝導のようなそれらのユニークな動作特性を示した。しかし,ソース/ドレイン直列抵抗(R_sd)はJLTsにおける固有g_mとdg_m/dV_g挙動の著しい劣化を引き起こす。JLTsの動作に及ぼすR_sd効果を詳細に検討し,また解析モデル方程式で検証した。ディエンベディングR_sd効果を持つJLTsの動作機構をより良く理解するために有用な情報を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互コンダクタンス ,  *接合形トランジスタ ,  解析モデル
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  *直列抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 無接合トランジスタ(JLTs) ,  バルク中性伝導 ,  直列抵抗(R_sd) ,  解析モデル ,  に埋め込まれたR_sd効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 接合トランジスタ ,  直列抵抗