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J-GLOBAL ID：201702245040571126   整理番号：17A1022745

ケモメトリックスの視点からの解析高効率内殻損失EELS【Powered by NICT】

High efficiency core-loss EELS analyzing from the viewpoint of chemometrics

著者 (5件)： Liu Peizhi (Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials, Ministry of Education, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China) ,  Deng Baichuan (College of Animal Science, South China Agricultural University, Guangzhou 510642, China) ,  Liang Zhilu (Department of Materials Science and Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China) ,  Duscher Gerd (Department of Materials Science and Engineering, The University of Tennessee, Knoxville, TN 37996, USA) ,  Guo Junjie (Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials, Ministry of Education, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China)
資料名： Materials Characterization  (Materials Characterization)
巻： 129  ページ： 313-318  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0448C  ISSN： 1044-5803  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現代走査透過型電子顕微鏡に装備した電子エネルギー損失分光法(EELS)は強力な高分解能元素分析技術である。しかし,EELSスペクトルから定量的に元素情報を抽出する従来の方法は,簡単ではない。本論文では,EELSデータを解釈するためケモメトリックスの観点からすることを試みた。微斜面SiC/SiO2_2界面から採取したEELSスペクトル画像を例として用いた。洗練されたケモメトリックス法をEELSデータを解析することにより,界面を横切るC/SiとSiの化学成分と元素比を導いた。従来のEELS分析と比較して,ケモメトリックス法は,より高い計算効率でより信頼性の高い正確な結果を与えた。ケモメトリックス解析は,SiC SiO_2への遷移は,化学的に鋭い,微傾斜界面の遷移層は,SiCとSiO_2の線形組合せであることを確認した。ケモメトリックス分析は,EELS解析のための高速でロバストな相補的方法である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  ロバスト性 ,  ケイ素 ,  高分解能 ,  炭化ケイ素 ,  *ケモメトリックス ,  化学組成 ,  元素分析 ,  線形性 ,  界面 ,  *電子エネルギー損失分光法 ,  スペクトル ,  高速度 ,  スペクトル画像
準シソーラス用語： *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電子エネルギー損失分光法 ,  ケモメトリックス ,  化学組成 ,  隣接界面

分類 (1件)： 分散強化合金  (WE04030R)

タイトルに関連する用語 (6件)： ケモメトリックス ,  視点 ,  解析 ,  高効率 ,  損失 ,  EELS