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J-GLOBAL ID：201702245065118043   整理番号：17A0993736

2-3μm GaSb系レーザダイオードの低周波雑音研究【Powered by NICT】

Low frequency noise investigation of 2-3μm GaSb-based laser diodes

著者 (4件)： Glemza Justinas (Radiophysics Dep. Vilnius University, Sauletekio 9 (III), LT-10222 Vilnius, Lithuania) ,  Pralgauskaite Sandra (Radiophysics Dep. Vilnius University, Sauletekio 9 (III), LT-10222 Vilnius, Lithuania) ,  Palenskis Vilius (Radiophysics Dep. Vilnius University, Sauletekio 9 (III), LT-10222 Vilnius, Lithuania) ,  Matukas Jonas (Radiophysics Dep. Vilnius University, Sauletekio 9 (III), LT-10222 Vilnius, Lithuania)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 133  ページ： 70-77  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中赤外2~3μm波長GaSb系I型リッジ導波路レーザダイオード(LD)の詳細な雑音研究は,低周波雑音分光法を用いて行った。ファセット不動態化がある場合とない場合の,異なる包装されたわずかに異なるヘテロ構造を有する種々の試料を調べた。しきい値前の小電流領域での雑音スペクトルにおける付加的な生成-再結合(g r)雑音成分に関連したトラップ準位の活性化エネルギーを決定した。特定の順方向電流でモードホッピング効果は,LDレーザ発振動作中の支配的であることを示した。LDヘテロ構造と導波路層における小さな差異はLD雑音特性に最大の影響が得られたが,ファセット不動態化の不在,切断された半導体界面における騒音発生中心への結合,およびパッケージタイプの影響は非常に弱いことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 波長 ,  *ダイオード ,  レーザ発振 ,  不動態化 ,  *アンチモン化ガリウム ,  リッジ導波管 ,  *半導体レーザ ,  活性化エネルギー ,  *雑音 ,  雑音特性 ,  電流 ,  *低周波雑音 ,  ファセット ,  半導体
準シソーラス用語： ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 相互相関係数 ,  電気雑音 ,  Fluctuation ,  GaSb ,  中赤外レーザダイオード ,  光雑音

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaSb ,  レーザダイオード ,  低周波雑音 ,  研究