文献

J-GLOBAL ID：201702245096526928   整理番号：17A0705637

一酸化鉛:正孔ドーピングにより誘起された2次元強磁性半導体【Powered by NICT】

Lead monoxide: a two-dimensional ferromagnetic semiconductor induced by hole-doping

著者 (6件)： Wang Yao (Key Laboratory of Flexible Electronics (KLOFE) & Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing Tech University (NanjingTech), 30 South Puzhu Road, Nanjing 211816, China. ...) ,  Zhang Qingyun ,  Shen Qian ,  Cheng Yingchun ,  Schwingenschloegl Udo ,  Huang Wei
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 18  ページ： 4520-4525  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正孔ドーピング下での単一および多層一酸化鉛(PbO)の強磁性基底状態,価電子バンド端のvanH ove特異点を実証するために第一原理計算を採用した。試料厚さと適用された歪の両方は,電子的および磁気的性質に大きな影響を及ぼすことが分かった。多層PbOは間接バンドギャップ半導体であるが,直接バンドギャップは単層限界で実現した。正孔ドープ単層PbOでは,二軸引張歪は強磁性状態の安定性を高めることができる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *強磁性半導体 ,  単一層 ,  価電子バンド ,  多層 ,  *正孔 ,  *強磁性 ,  *ドーピング ,  *二次元 ,  基底状態
準シソーラス用語： 引張歪 ,  直接バンドギャップ ,  間接バンドギャップ ,  第一原理計算 ,  *正孔ドーピング ,  *一酸化鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 一酸化鉛 ,  正孔ドーピング ,  誘起 ,  2次元 ,  強磁性半導体