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J-GLOBAL ID：201702245169161228   整理番号：17A1273336

電源におけるワイドバンドギャップパワーデバイスへの応用機会と期待【Powered by NICT】

Application opportunities and expectations for wide bandgap power devices in power supply

著者 (3件)： Zhao Zhengqing (Delta Power Electronics Center (DPEC), Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd.) ,  Cai Chaofeng (Delta Power Electronics Center (DPEC), Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd.) ,  Wang Tao (Delta Power Electronics Center (DPEC), Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISPSD  ページ： 13-18  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ワイドバンドギャップ半導体を用いた電力供給の進展,SiCとGaNデバイスを含む,をレビューした。ユニークなデバイス特性で解析した異なる回路特徴。GaNH EMTを用いることにより,電力変換器ハードウェアは,従来の設計と比較した。コンバータの詳細な構造はワイドバンドギャップデバイスにより可能になった次世代電力変換器の傾向を評価した。実践実用設計は,単純化された回路と自動車工場高eliei^不全と高密度を証明するために実行した。ハードウェアの解析に基づいて,いくつかの関連した問題は,部分的に検討し,SiC/GaNの適用,種々の応用を標的とした更なる最適化のための技術的課題をした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  変換器 ,  最適化 ,  簡素化 ,  電力供給 ,  *電力変換器 ,  自動車 ,  炭化ケイ素 ,  ハードウェア
準シソーラス用語： 技術課題 ,  高密度 ,  デバイス特性 ,  ワイドギャップ半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 応用 ,  機会 ,  期待