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J-GLOBAL ID：201702245178420565   整理番号：17A1399426

内および間datacentres相互接続の次世代の設計【Powered by NICT】

Designing the next generation of intra-and inter-datacentres interconnects

著者 (4件)： Vgenopoulou Vasiliki (Athens Information Technology (AIT), 44 Kifissias Avenue, 15125 Marousi, Greece) ,  Raptis Nikolaos (Athens Information Technology (AIT), 44 Kifissias Avenue, 15125 Marousi, Greece) ,  Grivas Evangelos (Athens Information Technology (AIT), 44 Kifissias Avenue, 15125 Marousi, Greece) ,  Tomkos Ioannis (Athens Information Technology (AIT), 44 Kifissias Avenue, 15125 Marousi, Greece)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICTON  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,次元プロジェクトに基づいて提案された内および間データセンタ(DC)システムを構成する部品の性能仕様を調べた。より詳しくいえば,ここでは,レーザ源とそれぞれの変調器の性能仕様を検討した。内直流系統はシリコンフォトニクス(SiPh)上に成長させた新しい直接変調レーザ(DML)を使用し,ターゲットは10kmまでを結びつける。コヒーレント解はSiGeバイポーラ相補型金属-酸化物-半導体(BiCMOS)技術に基づくキャリアー空乏型Mach-Zehnder変調器(MZM)を用いた間直流系統のための選択し,80kmを超えるリンクを標的とする。両系では,考慮した集合データ速度400Gbit/sである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： レーザ ,  BiCMOS ,  変調器 ,  コヒーレンス ,  *相互接続 ,  直流 ,  酸化物 ,  データセンタ ,  半導体
準シソーラス用語： データレート ,  シリコンゲルマニウム ,  直接変調 ,  シリコンフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 相互接続 ,  次世代 ,  設計