文献

J-GLOBAL ID：201702245282293667   整理番号：17A1721043

スパッタしたFe-Ga薄膜の静的及び動的磁気的性質【Powered by NICT】

Static and Dynamic Magnetic Properties of Sputtered Fe-Ga Thin Films

著者 (5件)： Gopman Daniel B. (Materials Science & Engineering Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD, USA) ,  Sampath Vimal (Mechanical and Nuclear Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, USA) ,  Ahmad Hasnain (Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, USA) ,  Bandyopadhyay Supriyo (Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, USA) ,  Atulasimha Jayasimha (Mechanical and Nuclear Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 53  号： 11  ページ： ROMBUNNO.6101304.1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶鉄の静的および動的特性の測定 ガリウム膜から20~80nmとFe_0 8Ga_0 2ターゲットからスパッタされたを示した。広い周波数範囲での広帯域強磁性共鳴装置を用いて,垂直定在スピン波共鳴が面内印加した外部静磁場で観察された。各周波数における最強の共鳴ピークに対応する場を用いて,有効磁化,g因子,およびGilbert減衰を決定することである。場位置にスピン波モードの依存性をいくつかの周波数で観察された。広帯域動的性質の分析は,40と80nmの厚さの膜の交換スティフネスA=(18±4)pJ/mとGilbert減衰α=0.042±0.005の決定を可能にする。これらの値は約エピタキシャル成長させた膜で見られる値と一致し,マイクロ波応用のための磁歪FeGa膜の工業的製造の可能性を示している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スピン波 ,  周波数 ,  磁歪 ,  g因子 ,  強磁性共鳴 ,  剛性 ,  多結晶 ,  共鳴 ,  エピタクシー ,  *鉄 ,  静磁場 ,  広帯域 ,  マイクロ波 ,  磁化
準シソーラス用語： Gilbertダンピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタ ,  Fe ,  Ga ,  薄膜 ,  磁気的性質