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J-GLOBAL ID:201702245287841314   整理番号:17A1489674

電気化学的アプローチと中間熱処理を用いて作製した結晶成長方向制御アンチモンセレン薄膜吸収体【Powered by NICT】

Crystal growth direction-controlled antimony selenide thin film absorbers produced using an electrochemical approach and intermediate thermal treatment
著者 (8件):
資料名:
巻: 172  ページ: 11-17  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Sb_2Se_3は,光起電力応用のための代替光吸収体間の新興材料である。典型的なカルコゲン化物とは異なり,Sb_2Se_3は単一の安定な結晶相のために特に魅力的である,ダングリングボンドの緩い結合を有する層構造をしなかった。それにもかかわらず,Sb_2Se_3化合物の合成のための費用対効果に優れた電気化学的アプローチは同定されていないと,最も好ましい[001]優先方位を持つSb_2Se_3膜はだけで開発した。本研究では,Sbリッチ前駆体は 950mV(vs. Ag/AgCl)で電気化学的に調製し,均一Sb_2Se_3薄膜を,付加的なSe被覆を有する典型的なセレン化プロセスの前に前処理プロセスを用いて製造した。この新規な手順は多結晶Sb結晶の生成のために液体Seへの潜在的Sb溶解を抑制した。その結果,Sbリッチ前駆体を成功裡に[001]方向の強化された垂直な配向を有するSb_2Se_3薄膜に変換した。残念なことに,高密度ボイドのは,二つの識別可能な層を有する前駆体膜で作製し,それらのサイズは,セレン化後に増加した。ボイドが初期電気化学反応後H_2Seガスの発生により形成した。得られた太陽電池はMo/Sb_2Se_3/CdS/ZnO/ITOから成る基板構造における1.8%のエネルギー変換効率を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  太陽電池 

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