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J-GLOBAL ID：201702245309248360   整理番号：17A0953401

GaAs_1-xBi_x中の分光学的に分離された局所状態

Spectrally resolved localized states in GaAs_1-xBi_x

著者 (6件)： CHRISTIAN Theresa M. (National Renewable Energy Lab., CO, USA) ,  CHRISTIAN Theresa M. (Univ. Colorado, CO, USA) ,  ALBERI Kirstin (National Renewable Energy Lab., CO, USA) ,  BEATON Daniel A. (National Renewable Energy Lab., CO, USA) ,  FLUEGEL Brian (National Renewable Energy Lab., CO, USA) ,  MASCARENHAS Angelo (National Renewable Energy Lab., CO, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 3  ページ： 035801.1-035801.5  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 局所状態の役割と,より広いバンド構造へのその影響は,GaAs_1-xBi_xにおけるバンド構造発展を理解するうえでの本質的な問題を残している。この研究では,著者らはGaAs_1-xBi_x中のいくつかの局所状態での再結合の明瞭な分光学的観測を説明する。鋭くて認めうる蛍光の特徴が複数の試料に現れ,x=0.16%と0.4%の間のGaBi割合の関数として34meVper%Biの直線化速度でレッドシフトし,それはバンド間再結合に伴うレッドシフトより弱い。局所化したホールと自由電子の放射再結合に関してこれらの結果を解釈することは,伝導帯極小の相対的移動とGaAs_1-xBi_x合金中の局所化されたビスマス関連のトラップ状態の性質に光を当てる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *ビスマス化合物 ,  化合物半導体 ,  バンド構造 ,  *局所性 ,  *キャリア再結合 ,  *蛍光 ,  赤方偏移 ,  キャリア捕獲

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (25件)：

• S. Francoeur, M.-J. Seong, and A. Mascarenhas, Appl. Phys. Lett. 82, 3874 (2003).
• B. Fluegel, S. Francoeur, A. Mascarenhas, S. Tixier, E. C. Young, and T. Tiedje, Phys. Rev. Lett. 97, 067205 (2006).
• Y. Zhang, A. Mascarenhas, and L.-W. Wang, Phys. Rev. B 71, 155201 (2005).
• K. Albert, D. A. Beaton, and A. Mascarenhas, Phys. Rev. B 92, 241201(R) (2015).
• A. Mascarenhas and Y. Zhang, Curr. Opin. Solid State Mater. Sci. 5, 253 (2001).

タイトルに関連する用語 (1件)： 分光学