Ohshima Ryo について
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, 615-8510 Kyoto, Japan について
Klingler Stefan について
Walther-Meissner-Institut, Bayerische Akademie der Wissenschaften, 85748 Garching, Germany について
Dushenko Sergey について
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, 615-8510 Kyoto, Japan について
Ando Yuichiro について
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, 615-8510 Kyoto, Japan について
Weiler Mathias について
Walther-Meissner-Institut, Bayerische Akademie der Wissenschaften, 85748 Garching, Germany について
Huebl Hans について
Walther-Meissner-Institut, Bayerische Akademie der Wissenschaften, 85748 Garching, Germany について
Shinjo Teruya について
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, 615-8510 Kyoto, Japan について
Goennenwein Sebastian T. B. について
Walther-Meissner-Institut, Bayerische Akademie der Wissenschaften, 85748 Garching, Germany について
Shiraishi Masashi について
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, 615-8510 Kyoto, Japan について
Applied Physics Letters について
広帯域 について
強磁性共鳴 について
スペクトロスコピー について
ケイ素 について
注入 について
ニッケル について
鉄 について
減衰 について
ドーピング について
金属薄膜 について
膜厚 について
電気抵抗率 について
チャネル について
磁気緩和 について
MOSFET について
半導体 について
分光法 について
シリコン について
スピン注入 について
Ni について
Fe について
Gilbert減衰 について
合金薄膜 について
スピンポンピング について
強磁性共鳴,反強磁性共鳴,フェリ磁性共鳴 について
トランジスタ について
広帯域 について
強磁性共鳴 について
分光法 について
シリコン について
スピン注入 について