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J-GLOBAL ID:201702245371074912   整理番号:17A1623389

異なるZnTe分離層厚を持つ多層CdTe/ZnTe量子ドットの活性化エネルギーとキャリア動力学【Powered by NICT】

Activation energy and carriers dynamics of multilayer CdTe/ZnTe quantum dots with different ZnTe separation layer thicknesses
著者 (5件):
資料名:
巻: 96  号: P3  ページ: 218-221  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0954A  ISSN: 0025-5408  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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GaAs基板上に種々のZnTe分離層の厚さを持つ多層CdTe/ZnTe量子ドット(QD)の光学特性を調べた。低温光ルミネセンス(PL)スペクトルはより高いエネルギー準位,およびPLピーク強度への多層CdTe/ZnTe QDsシフトにおける励起子ピークは,ZnTe分離層の厚さの増加と共に増加することを示した。これは脱共役の増加のために,QDにおける多くの閉込められたキャリアが広い分離層を有する。温度依存PL測定は,多層CdTe/ZnTe QD中に閉込められた電子の活性化エネルギーは,ZnTe分離層厚さの減少と共に減少することを示した。時間分解PLスペクトルは,ZnTe分離層厚さの減少と共に増加したキャリア減衰時間を示し,より狭い分離層を有するInAs量子ドット間で結合増加に起因した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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塩  ,  半導体のルミネセンス 

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