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J-GLOBAL ID:201702245406038635   整理番号:17A1721775

超低電圧での単層カーボンナノチューブ短チャネルトランジスタ動作【Powered by NICT】

Single-Walled Carbon Nanotube Short-Channel Transistors Operating at Ultra-Low Voltages
著者 (2件):
資料名:
巻:号:ページ: 525-529  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2429A  ISSN: 2168-6734  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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電力消費と短チャネル効果はトレードオフ関係に存在することを考えると,動作電圧の相対的減少を可能にする短チャネルトランジスタを調べるために多くの努力がされている。最近,ナノメータスケールチャネル長をもつ超低電圧で動作するトランジスタの実現可能性は,将来のナノエレクトロニクスのための広く研究されてきた。ここでは,ナノ粒子の破断橋を誘導することをエレクトロマイグレーション技術を利用した超低電圧でサブ20nmチャネル動作を持つ溶液処理単層カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ(SWCNT TFTs)を実証した。真空中での熱アニーリングの後処理プロセスを採用することにより,短チャネルSWCNT TFTの電荷輸送が改善された。このような改善の原因である電荷不純物,欠陥状態としての有機/無機残基を含むを低減するために,同様にSWCNT間の電気的接触と金属電極,一次元電荷輸送に強く影響することを改良すると考えられる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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無線通信一般  ,  音響信号処理  ,  符号理論  ,  信号理論 
タイトルに関連する用語 (4件):
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