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J-GLOBAL ID：201702245407438059   整理番号：17A1633506

向上されたチャネル移動度を有する高抵抗トラップリッチSOIにおける超広帯域低損失スイッチの設計【Powered by NICT】

Ultra-Wideband Low-Loss Switch Design in High-Resistivity Trap-Rich SOI With Enhanced Channel Mobility

著者 (7件)： Yu Bo (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Ma Kaixue (School of Physical Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Meng Fanyi (School of Physical Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Yeo Kiat Seng (Singapore University of Technology and Design, Singapore) ,  Shyam Parthasarathy (Department of Technology Development, GLOBALFOUNDRIES Singapore, Singapore) ,  Zhang Shaoqiang (Department of Technology Development, GLOBALFOUNDRIES Singapore, Singapore) ,  Verma Purakh Raj (Department of Technology Development, GLOBALFOUNDRIES Singapore, Singapore)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 65  号： 10  ページ： 3937-3949  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,超広帯域RFスイッチ性能にストレス記銘技術(SMT)効果を初めて調べた。SMT無しの市販0.13μm高抵抗率(HR)トラップリッチSOI技術を用いて設計した低挿入損(IL),高単離,超広帯域(DC~50GHz)単極双投(SPDT),および単極四落差(SP4T)スイッチを提示し,検討した。GF130RFSOI PDKから低R_ON~*C_OFFを持つ2.5V nMOSトランジスタ(L_g=0.2μm)を用いた。スイッチトランジスタのチャネル移動度はSMTにより改善されると,スイッチ性能をさらに向上させることができることが分かった。さらに,スイッチ性能に及ぼす異なるゲートバイアスのもとでのトランジスタチャネル長,スイッチの両方のILと単離に支配的影響を持つ,の影響も実験的に研究し,検証した。SPDTスイッチで得られた 2.1dB以下の低測定ILと直流から50GHzまで27dBより良好な良好な単離。SP4Tスイッチでは,dcから35GHzまで達成した2.6dB以下の測定されたILと27dBより良好な単離。設計したSPDTおよびSP4Tスイッチの能動チップ面積はわずか0.214×0.19 mm~2と0.36×0.19mm~2の大きさのコンパクトであった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： SOI構造 ,  トランジスタ ,  電気抵抗率 ,  挿入損 ,  単離 ,  *スイッチ ,  記銘
準シソーラス用語： チップ面積 ,  SPDTスイッチ ,  チャネル長 ,  ゲートバイアス ,  SPDT ,  RFスイッチ ,  *超広帯域 ,  *チャネル移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  その他の伝送回路素子  (NC04070U) ,  その他の電子回路  (NC05090X)

タイトルに関連する用語 (6件)： チャネル移動度 ,  トラップ ,  SOI ,  広帯域 ,  低損失 ,  設計