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J-GLOBAL ID：201702245447931833   整理番号：17A1634865

特注設計の180nm CMOS技術演算増幅器の自動ASET感度評価【Powered by NICT】

Automatic ASET sensitivity evaluation of a custom-designed 180nm CMOS technology operational amplifier

著者 (4件)： Fontana Andres (Microelectronics Laboratory, Electronics Engineering Department, Universidad Tecnologica Nacional, Facultad Regional Buenos Aires, Medrano 951, CABA, Argentina) ,  Pazos Sebastian M. (Microelectronics Laboratory, Electronics Engineering Department, Universidad Tecnologica Nacional, Facultad Regional Buenos Aires, Medrano 951, CABA, Argentina) ,  Aguirre Fernando L. (Microelectronics Laboratory, Electronics Engineering Department, Universidad Tecnologica Nacional, Facultad Regional Buenos Aires, Medrano 951, CABA, Argentina) ,  Palumbo Felix (Microelectronics Laboratory, Electronics Engineering Department, Universidad Tecnologica Nacional, Facultad Regional Buenos Aires, Medrano 951, CABA, Argentina)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CAMTA  ページ： 21-25  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,180nm CMOSフルカスタムのSPICEベース自動SET感度評価演算増幅器を提案した。装置は回路階層の各感受性ノードにSETを注入する良く知られた二重指数関数型電流則を用いた。パルスパラメータは無作為に割り当てエネルギーと種を持つ粒子,走向の瞬間におけるノードバイアス条件とTCADシミュレーションにより得られた経験的モデルの以前に生成された集団に従って得た。回路が発生データベースの各イオンのためのトランジスタ賢明な評価し,出力波形は,与えられた放射性環境への提案した設計の硬さの性能指数を得るために,時間と周波数領域で処理する。結果は投影された応用のための最も高感度なデバイスと期待される誤り率を決定することができ,初期設計段階における硬化技術を可能にした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 性能指数 ,  *演算増幅器 ,  指数関数 ,  *CMOS ,  シミュレーション ,  硬度 ,  誤り率 ,  データベース ,  電流 ,  トランジスタ ,  高感度 ,  周波数領域
準シソーラス用語： 出力波形 ,  経験モデル ,  TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 特注 ,  設計 ,  CMOS技術 ,  演算増幅器 ,  感度 ,  評価