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J-GLOBAL ID：201702245477738791   整理番号：17A1260876

2.4GHzバンドSOI-CMOSブリッジ整流器IC【Powered by NICT】

The 2.4 GHz band SOI-CMOS bridge rectifier IC

著者 (6件)： Yanagihara Seishu (Kanazawa Institute of Technology 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa, 921-8501, Japan) ,  Tsuchimoto Shunya (Kanazawa Institute of Technology 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa, 921-8501, Japan) ,  Itoh Kenji (Kanazawa Institute of Technology 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa, 921-8501, Japan) ,  Kawasaki Kengo (Mitsubishi Electric Corporation, 5-1-1 Ofuna, Kamakura, Kanagawa, 247-8501 Japan) ,  Yao Tomohiro (Mitsubishi Electric Corporation, 5-1-1 Ofuna, Kamakura, Kanagawa, 247-8501 Japan) ,  Tsuru Masaomi (Mitsubishi Electric Corporation, 5-1-1 Ofuna, Kamakura, Kanagawa, 247-8501 Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： WPTC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブW級整流のための2.4GHzバンドSOI-CMOSブリッジ整流器について述べた。ブリッジ整流器トポロジーは大きなサイズのフィルタなしで全波整流のためにIC集積化に適している。さらに,高出力動作を実現するために,NMOS FETによる直列接続ゲート接続ダイオードは高い絶縁破壊電圧のために採用した。またLPFは,接合容量に由来する効率低下を減少させるために添加した。ブリッジ整流器ICは高い破壊電圧を持つFETを含む全世界の鋳造0.18μm SOI-CMOS(7RFSOI)上に作製した。開発したブリッジ整流器は 27dBmの入力電力で44.2%の整流効率を達成した。これは高出力CMOS整流器のトップレベルの性能である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  NMOS構造 ,  *CMOS ,  フィルタ ,  直列接続 ,  *整流器 ,  鋳造 ,  全波整流 ,  ダイオード ,  *整流 ,  電力
準シソーラス用語： 接合容量 ,  絶縁破壊電圧 ,  高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： バンド ,  SOI ,  CMOS ,  ブリッジ ,  整流器 ,  IC