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J-GLOBAL ID：201702245620542952   整理番号：17A1279073

サブ5nm次元ナノ粒子を用いて調製したBiFeO₃薄膜の強誘電性と抵抗スイッチング特性の制御【Powered by NICT】

Controlling the ferroelectric and resistive switching properties of a BiFeO₃ thin film prepared using sub-5 nm dimension nanoparticles

著者 (5件)： Shirolkar Mandar M. (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China. [e-mail] [e-mail] [e-mail]) ,  Li Jieni ,  Dong Xiaolei ,  Li Ming ,  Wang Haiqian
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 38  ページ： 26085-26097  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,BiFeO₃は基礎科学の探査と新しい応用の開発において興味あるマルチフェロイック材料として大きな注目を集めている。著者らの以前の研究(Phys.Chem.Chem.Phys.18,2016年,25409年)は,サブ5nm寸法のBiFeO₃の興味ある物理化学的特徴を明らかにした。研究もBiFeO₃におけるサブ5nm寸法で弱い強誘電性の存在を説明した。この特徴に基づいて,サブ5nm BiFeO₃ナノ粒子を用いて薄膜を調製し,薄膜の種々の物理化学的特性を調べた。薄膜の形成時に,ナノ粒子は凝集していることを報告した。特に,それらのナノ双晶の消滅が観察された。定性的に,Gibbs自由エネルギー変化ΔGは上記過程を支配した。サブ5nmのナノ粒子と比較して,薄膜はR3c相と増強されたBi-O-Fe配位を示した。磁場の影響下のRaman分光法は,磁気電気効果,スピンフォノン結合および磁気異方性を示した。薄膜における室温強誘電挙動,磁場の印加により増強することを報告した。これは薄膜のマルチフェロイック特性を確認した。薄膜は,低バイアス(±0.5V)で複数の電圧と読取-書込動作での分極スイッチング能力を示した。さらに薄膜は,ナノマイクロアンペア電流範囲で負性微分相補的抵抗スイッチング挙動を示した。10²サイクル,10⁵電圧パルス,および10⁵年代のほぼ安定な1ビット動作を報告し,パラダイムデバイスへの応用を実証した。観察された結果は,サブ5nm BiFeO₃ナノ粒子を用いて調製した薄膜は,将来のスピントロニクスとメモリ応用のための有望な候補であることを示した。報告したアプローチは,物理化学的性質を調べ,いくつかの他のナノ粒子の潜在的なアプリケーションを開発するために適切なことができる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノ粒子 ,  *ビスマス化合物 ,  フェライト ,  鉄酸塩 ,  *強誘電性 ,  *スイッチング ,  薄膜 ,  双晶 ,  Gibbs自由エネルギー ,  Raman分光法 ,  磁気異方性 ,  磁場効果 ,  磁気電気効果 ,  強誘電体 ,  磁性体 ,  分極反転 ,  負性抵抗 ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： 鉄酸ビスマス ,  抵抗スイッチング ,  マルチフェロイック ,  分極スイッチング

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (8件)： サブ ,  次元 ,  ナノ粒子 ,  調製 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  強誘電性 ,  スイッチング特性