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J-GLOBAL ID：201702245622444822   整理番号：17A0882347

スパークプラズマ焼結による炭化タンタル炭化ハフニウムの固溶体合成【Powered by NICT】

Solid solution synthesis of tantalum carbide-hafnium carbide by spark plasma sintering

著者 (5件)： Zhang Cheng (Plasma Forming Laboratory, Department of Mechanical and Materials Engineering, Florida International University, Miami, Florida) ,  Gupta Ankur (AMPAC, NSTC, University of Central Florida, Orlando, Florida) ,  Seal Sudipta (AMPAC, NSTC, University of Central Florida, Orlando, Florida) ,  Boesl Benjamin (Plasma Forming Laboratory, Department of Mechanical and Materials Engineering, Florida International University, Miami, Florida) ,  Agarwal Arvind (Plasma Forming Laboratory, Department of Mechanical and Materials Engineering, Florida International University, Miami, Florida)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 100  号： 5  ページ： 1853-1862  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化タンタル(TaC)と炭化ハフニウム(HfC)の固溶体を,スパークプラズマ焼結により合成した。五つの異なる組成(純HfC,HfC,20vo1%TaC,HfC,50vo1%TaC,HfC,80vo1%TaC,および純粋なTaC)は1850°C,60MPaの圧力,焼結助剤なしで10分の保持時間で焼結した。近完全密度は全ての試料で達成され,特にHfC contained試料であった。純粋なTaC試料の気孔率は出発粉末表面の酸素汚染(Ta_2O_5)によるものであった。HfCの添加はTaC表面からの酸素汚染を移動と超微細HfO_2とHf O C粒を形成することにより全体的な緻密化を増加させた。HfC濃度では,全体的な結晶粒径はHfC,80vo1%TaCから50%減少HfC,20vo1%TaC試料にした。固溶体形成は余分なエネルギー,結晶粒成長を制限することを必要とした。固溶体試料の格子パラメータはVegardの法則を用いて計算した理論値と良く一致したX線回折を用いて得た。固溶体試料の機械的性質は増加した緻密化とより小さな粒径に起因して,純粋なTaCおよびHfC炭化物試料より優れていた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 緻密化 ,  *固溶体 ,  空隙率 ,  *放電プラズマ焼結 ,  結晶粒径 ,  粉体 ,  *炭化タンタル ,  結晶成長 ,  保持時間 ,  機械的性質 ,  酸素 ,  格子定数 ,  *焼結 ,  焼結助剤 ,  *炭化ハフニウム ,  性質

著者キーワード (5件)： HfC ,  固溶体 ,  スパークプラズマ焼結 ,  TaC ,  Vegard則

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： スパークプラズマ焼結 ,  炭化タンタル ,  炭化ハフニウム ,  固溶体