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J-GLOBAL ID:201702245731584635   整理番号:17A0308032

無線センサネットワークにおけるNANDフラッシュメモリベースシンクノードのためのページ粒度摩耗レベリング(PGWL)戦略【Powered by NICT】

A page-granularity wear-leveling (PGWL) strategy for NAND flash memory-based sink nodes in wireless sensor networks
著者 (5件):
資料名:
巻: 63  ページ: 125-139  発行年: 2016年03月 
JST資料番号: H0842A  ISSN: 1084-8045  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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シンクノードは,無線センサネットワーク(WSN)のデータ中心であると,そのようなノードのための記憶管理方式は重要である,特に大量データの収集を含む無線マルチメディアセンサネットワークのような応用。NANDフラッシュメモリは,その優れた特性のためにシンクノードでしばしば使われる。NANDフラッシュメモリの寿命は,ビット誤り率(BER)により高度に制限されているので,著者らはNANDフラッシュメモリの寿命を延長するための新しいページ粒度ウェアレベリング(PGWL)戦略を提示した。PGWLの概念は,NANDフラッシュメモリのための著者らの実験プラットフォームから得られた二つの主要な実験観察によって動機づけられたものである:最初に,生のビット誤り率(RBER)分布は,異なるページ間の耐久性における明確な変動を示し,この変動は異なるブロック間のものより顕著である第二に,プログラミング救援活動(消去のみ,プログラミングないから成る)は,両プログラム阻害及び保持誤差を減少させることが明らかになった。本研究では,まず,シンクノードのシステムクロックを用いたフラッシュページの信頼性を評価する実用的な平均RBER予測モデルを提示した。PGWL戦略はブロックにおける各ページの寿命能力を利用するブロック粒度ウェアレベリングのページ粒度ウェアレベリングを導入することにより実時間で異なるページのRBER成長の自己適応平準化を可能にした。実験結果はPGWLは伝統的な不良ブロック管理(BBM)と比較して2×nm NANDフラッシュメモリの寿命を延ばす88.3%できることを示すが,通常の部門マッピング方式と比較してデータスループット速度で0.85%の分解を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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