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J-GLOBAL ID：201702245764612695   整理番号：17A1480771

Si(100)光電極での金ナノ粒子の電着中の水素発生は電流-時間過渡現象の解析を障害する【Powered by NICT】

Hydrogen evolution during the electrodeposition of gold nanoparticles at Si(100) photoelectrodes impairs the analysis of current-time transients

著者 (5件)： Vogel Yan B. (Department of Chemistry, Curtin University, Bentley, Western Australia 6102, Australia) ,  Darwish Nadim (Department of Chemistry, Curtin University, Bentley, Western Australia 6102, Australia) ,  Kashi Mehran B. (School of Chemistry, Australian Centre for NanoMedicine, ARC Centre of Excellence for Convergent Bio-Nano Science and Technology, The University of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, Australia) ,  Gooding J. Justin (School of Chemistry, Australian Centre for NanoMedicine, ARC Centre of Excellence for Convergent Bio-Nano Science and Technology, The University of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, Australia) ,  Ciampi Simone (Department of Chemistry, Curtin University, Bentley, Western Australia 6102, Australia)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 247  ページ： 200-206  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体表面,特に金,貴金属の電着は,オプトエレクトロニクスおよび触媒デバイスの開発における一般的なステップである。電着過渡現象の理論的モデルは,金属粒子の核形成と成長に対する機構的洞察を提供することができる。ここでは,これらのモデルは半導体光電極上の金ナノ粒子の成長に適用した,電着過程を二次元で制御できる究極の目的できるどの程度まで調べた。平行吸着段階を説明するために著者らは,Si(100)光電陰極で金塩の還元に対する電流過渡現象を検討した実験パラメータだけでなく,利用可能なモデルに調整を行った。はこれらのモデルは半導性光電極上での核形成過程の予測力を保持しているどの程度まで観測した。水素発生反応は非常に塩基性pH値でも重要であり,電着実験におけるモデル化と実際の結果の間の貧弱な一致をもたらすことを見出した。金粒子と半導体光効果の触媒活性はSi(100)光電陰極上の金粒子の成長のための実験条件を精密化するために,単独過渡電流に依存していることを困難にしていると結論した。具体的には,水素発生は,粒子の変位と表面に大きな凝集をもたらす乱流を引き起こすことを提案した。この問題の解は核形成を制御し,最終的に半導体表面上のナノ粒子堆積に対処する空間的に照明パターンを使用することを可能にする,銅のような,水素発生のための高い過電圧を有する金属を電着することである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *過渡現象 ,  銅 ,  吸着 ,  *電着 ,  核形成 ,  *光電極 ,  触媒活性 ,  触媒 ,  *ナノ粒子 ,  半導体 ,  *金 ,  *電流 ,  モデリング
準シソーラス用語： *水素発生 ,  *金ナノ粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Si(100) ,  金ナノ粒子 ,  光アドレス電気化学 ,  光電極 ,  水素発生反応 ,  電着

分類 (2件)： 電極過程  (CB07040U) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  光電極 ,  金ナノ粒子 ,  電着 ,  水素発生 ,  過渡現象 ,  解析 ,  障害